[发明专利]一种二维MnGa2

权利要求书

1.一种二维MnGa₂O₄纳米片的制备方法，其特征在于：二维MnGa₂O₄纳米片为六角片状，呈规则六边形；MnGa₂O₄纳米片厚度为1～50nm，MnGa₂O₄纳米片边长为1～10μm，MnGa₂O₄纳米片为单晶结构；

所述的二维MnGa₂O₄纳米片的制备方法，该方法包括如下步骤：

(1)称取二氯化锰MnCl₂和硝酸镓Ga(NO₃)₃粉末，置于100ml的烧杯中；步骤(1)中，二氯化锰和硝酸镓中Mn与Ga的原子比例为1:3～3:1，粉末总重量为0.15～1.50g；

(2)将步骤(1)称取的粉末溶解于蒸馏水中，搅拌10～20min至粉末完全溶解；

(3)量取乙二胺溶液置于100ml的聚四氟乙烯内胆中，将步骤(2)中的混合溶液转移至聚四氟乙烯内胆，与乙二胺混溶；

(4)将步骤(3)中的聚四氟乙烯内胆放入不锈钢反应釜中，密闭反应釜；

(5)将步骤(4)中的反应釜放入保温箱中，在反应温度下保温；

(6)待温度降至室温，将产物取出，置于离心管中；

(7)将离心管中的产物离心，倒去上清液，用酒精清洗离心管中的产物；

(8)将步骤(7)中获得的产物置于干燥箱中，在80～120℃下干燥1～3h；

步骤(2)中，蒸馏水的体积为15～45ml；

步骤(3)中，乙二胺的体积为15～45ml；

步骤(5)中，反应温度为150～200℃，保温时间为3～36h；

步骤(8)中，二维MnGa₂O₄纳米片产物为红褐色粉末。