[发明专利]一种低温型V‑W‑TiO2基选择性还原催化剂的制备方法

权利要求书

1.一种低温型V-W-TiO₂基选择性还原催化剂的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)根据TiO₂等体积浸渍所需的溶液重量计算，称取偏钨酸铵、硝酸铈和醋酸锆加入到去离子水中，完全溶解后形成偏钨酸铵溶液和铈锆水溶液；

2)根据W-TiO₂等体积浸渍所需的溶液重量计算，称取偏钒酸铵加入到去离子水中，加热溶解后加入98％质量分数的草酸粉末，搅拌反应后形成偏钒酸铵溶液；

3)在捏合机中，将上述步骤1)中制备的偏钨酸铵水溶液缓慢加入TiO₂中捏合均匀；

4)将上述步骤1)中制备的铈锆水溶液缓慢加入上述等体积浸渍后的TiO₂中捏合均匀；

5)将上述步骤4)得到的湿粉料干燥、粉碎和焙烧得到Ce-Zr-W-TiO₂粉；

6)在捏合机中，将上述步骤2)中制备的偏钒酸铵溶液缓慢加入上述Ce-Zr-W-TiO₂粉中捏合均匀；

7)将上述步骤6)中得到的湿粉料干燥、粉碎和焙烧得到V-Ce-Zr-W-TiO₂粉；

8)称取上述V-Ce-Zr-W-TiO₂粉、硅溶胶和去离子水混合，球磨得到涂层浆料；

9)将蜂窝陶瓷浸渍到步骤8)中制备的涂层浆料中，取出后吹尽孔道中剩余浆料，重复浸渍和干燥，最后焙烧即得整体式选择性还原(SCR)催化剂。

2.根据权利要求1所述的一种低温型V-W-TiO₂基选择性还原催化剂的制备方法，其特征在于：步骤1)中所述的偏钨酸铵以WO₃重量计算，加入量为钛白粉重量的8-12％；硝酸铈以CeO₂重量计算，加入量为钛白粉重量的1-3％，醋酸锆以ZrO₂重量计算,CeO₂与ZrO₂摩尔比为1:3-1:6。

3.根据权利要求1所述的一种低温型V-W-TiO₂基选择性还原催化剂的制备方法，其特征在于：步骤2)中所述的偏钒酸铵以V₂O₅重量计算，加入量为钛白粉重量的3％，偏钒酸铵与草酸的重量比为1:1.5-1:2.0。

4.根据权利要求1所述的一种低温型V-W-TiO₂基选择性还原催化剂的制备方法，其特征在于：步骤3)中所述的捏合时间为60-75min。

5.根据权利要求1所述的一种低温型V-W-TiO₂基选择性还原催化剂的制备方法，其特征在于：步骤4)中所述的捏合时间为60-75min。

6.根据权利要求1所述的一种低温型V-W-TiO₂基选择性还原催化剂的制备方法，其特征在于：步骤5)中所述的干燥温度为70-100℃，干燥时间为20-24h；焙烧温度为500-550℃，焙烧时间为2-3h。

7.根据权利要求1所述的一种低温型V-W-TiO₂基选择性还原催化剂的制备方法，其特征在于：步骤6)中所述的捏合时间为60-75min。

8.根据权利要求1所述的一种低温型V-W-TiO₂基选择性还原催化剂的制备方法，其特征在于：步骤7)中所述的干燥温度为70-100℃，干燥时间为20-24h；焙烧温度为500-550℃，焙烧时间为2-3h。

9.根据权利要求1所述的一种V-W-TiO₂基择性还原催化剂的制备方法，其特征在于：步骤8)中所述的硅溶胶以SiO₂计算，加入量为V-W-TiO₂粉重量的8-12％，球磨时间为2-4h。

10.根据权利要求1所述的一种低温型V-W-TiO₂基选择性还原催化剂的制备方法，其特征在于：步骤9)中所述的干燥温度为70-100℃，干燥时间为20-24h；焙烧温度500-550℃，焙烧时间为2-3h。