[发明专利]半导体装置的制造装置有效
| 申请号： | 201611069217.3 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN107045988B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 樱井大辅;浜平大 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/67;H01L21/68;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王亚爱 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造装置，使用安装头将形成了位置匹配用的多个识别标记的被安装构件隔着接合层安装于基板，
该半导体装置的制造装置具备：
吸附保持构件，与形成了所述识别标记的面相接触地对所述被安装构件进行吸附保持；
第1加热装置，对由所述吸附保持构件吸附保持的所述被安装构件进行加热；
图像识别装置，在所述安装头的外侧同时识别所述被安装构件的所述识别标记并取得图像识别的信息；
多个光学部件，在所述安装头的内侧将所吸附保持的所述被安装构件的所述多个识别标记的图像信息同时导入到所述图像识别装置；以及
位置算出部，基于由所述图像识别装置取得的所述图像识别的信息来算出所述被安装构件的位置，
所述多个光学部件全都被固定于1个基底上的同一平面，
若将所述被安装构件的线膨胀系数设为α1，将所述基底的线膨胀系数设为α2，将所述被安装构件的温度设为T1，将所述基底的温度设为T2，将室温设为RT，则
0.5≤α2×(T2-RT)/{α1×(T1-RT)}≤2.0。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造装置，其中，
所述半导体装置的制造装置还具备对所述基底进行加热的第2加热装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
