[发明专利]键合损伤的检测系统有效
申请号: | 201611070087.5 | 申请日: | 2016-11-28 |
公开(公告)号: | CN108122796B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 唐明龙;朱国平;周建军 | 申请(专利权)人: | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
地址: | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 损伤 检测 系统 | ||
本申请提供一种键合损伤的检测系统。本申请中,键合损伤的检测系统,包括:相互连接的探针台与测试设备;其中,探针台包括探针以及金属台盘,其中探针台的探针与待测芯片的正面电极接触,探针台的金属台盘与待测芯片的反面电极电性连接,探针、金属台盘均与测试设备电性连接;待测芯片为未切筋的键合产品。在测试时,测试设备设有预设参数,用于通过探针台检测待测芯片的损伤关联参数,并将所述损伤关联参数与预设参数比较来判断是否存在键合损伤。与现有技术相比,本申请可以缩短损伤检测时长、降低损伤识别的难度、避免损伤识别的安全风险以及提高异常检出率。
技术领域
本申请涉及半导体芯片测试技术领域,特别涉及一种键合损伤的检测系统。
背景技术
在半导体器件后道封装领域,引线键合产品在键合生产过程中需要进行键合损伤监控。目前行业内普遍采取的方式为使用化学试剂腐蚀的方法,去除键合后的PAD(焊盘)顶层金属,显微镜下肉眼观察焊点下方有无损伤。化学试剂腐蚀法主要有两种处理方式:一种是强酸加催化剂与待检样品进行化学反应;另一种是碱溶液加热与待检样品进行化学反应。
然而,上述检测损伤的方式存在耗时较长、人眼难以识别轻微损伤、腐蚀操作存在安全风险、异常检出率低等弊端。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例提供一种键合损伤的检测系统,解决上述提及的至少一个技术问题。
本申请部分实施例提供了一种键合损伤的检测系统,包括:相互连接的探针台与测试设备;其中,
所述探针台包括探针以及金属台盘,其中所述探针与待测芯片的正面电极接触,所述金属台盘与所述待测芯片的反面电极电性连接,所述探针、所述金属台盘均与所述测试设备电性连接;所述待测芯片为未切筋的键合产品;
所述测试设备设有预设参数,用于通过所述探针台检测所述待测芯片的损伤关联参数,并将所述损伤关联参数与所述预设参数比较来判断是否存在键合损伤。
本申请实施例所达到的主要技术效果是:由于损伤关联参数测试时间短,可以缩短损伤检测时长;借助键合损伤的检测系统检测损伤,避免人工肉眼识别损伤,可以降低损伤识别的难度;检测损伤过程中不涉及腐蚀性化学药品,可以避免损伤识别的安全风险;即使损伤轻微,也可以通过测试损伤关联参数反映出来,进而可以提高异常检出率。综上所述,本申请可以缩短损伤检测时长、降低损伤识别的难度、避免损伤识别的安全风险以及提高异常检出率。
在本申请的一个实施例中,所述待测芯片设置于框架上;所述金属台盘与所述框架的底板电极接触;所述底板电极与所述待测芯片的反面电极电性连接。
在本申请的一个实施例中,在将承载所述待测芯片的所述框架置于所述金属台盘之前,去除所述待测芯片的键合丝。
在本申请的一个实施例中,在去除所述待测芯片的键合丝时,先使用镊子将所述键合丝从键合管脚处挑断,接着夹紧所述键合丝并扭动,以使所述键合丝在所述待测芯片的键合点颈部断开;其中,所述颈部为所述键合点与所述键合丝的结合部。这样,可以避免拉伤芯片,影响测试准确性。
在本申请的一个实施例中,所述损伤关联参数包括击穿参数、漏电参数中的至少一项。通过测试击穿参数、漏电参数可以检测待测芯片是否存在损伤。
在本申请的一个实施例中,所述预设参数为预设阈值;当所述损伤关联参数大于所述预设阈值时,所述测试设备判定所述待测芯片存在键合损伤。
在本申请的一个实施例中,在测试时,所述键合损伤的检测系统处于无光照的测试环境。这样,可以保证测试准确性。
在本申请的一个实施例中,所述测试设备判定所述待测芯片存在键合损伤时,输出反馈信息至所述待测芯片的生产线控制器;所述控制器接收到所述反馈信息时控制所述生产线停机。这样,可以在检测到损伤时及时调整生产线,并追溯不良品,避免造成更大损失。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造