[发明专利]一种低功耗发射机

权利要求书

1.一种低功耗发射机，包括发射机核心电路，其特征在于：还包括启动控制电路、偏置电路和带隙基准电路，所述启动控制电路用于当接收到所需发射的数据且接收到的第一使能信号的电平为启动电平时，则输出第二使能信号至发射机核心电路，从而控制发射机核心电路启动；所述启动控制电路的输出端与发射机核心电路的控制端连接，所述带隙基准电路的输出端通过偏置电路从而与发射机核心电路的输入端连接，所述带隙基准电路的启动和关断以及偏置电路的启动和关断均受控于所述第一使能信号；

所述启动控制电路包括：

信号输入电路，用于接收所需发射的数据；

唤醒延迟关断电路，用于将接收到的信号延时输出；

与门，用于对接收到的第一使能信号和由唤醒延迟关断电路所输出的信号进行与运算；

所述信号输入电路的输出端通过唤醒延迟关断电路从而与与门的第一输入端连接，所述与门的第二输入端作为第一使能信号的接收端，所述与门的输出端与发射机核心电路的控制端连接。

2.根据权利要求1所述一种低功耗发射机，其特征在于：所述信号输入电路包括第一反相器和第二反相器，所述唤醒延迟关断电路包括第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管以及第一电容；

所述第一反相器的输出端分别与第二反相器的输入端和第三PMOS管的栅极连接，所述第二反相器的输出端分别与第四PMOS管的栅极、第五PMOS管的栅极及第六PMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的漏极分别与第三NMOS管的漏极和第一电容的一端连接，所述第四PMOS管的漏极与第五PMOS管的源极连接，所述第五PMOS管的漏极与第六PMOS管的源极连接，所述第六PMOS管的漏极分别与第三NMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极及第四NMOS管的漏极连接；

所述第三PMOS管的源极和第四PMOS管的源极均接电源电压，所述第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极和第一电容的另一端均接地，所述第一电容的一端作为唤醒延迟关断电路的输出端。

3.根据权利要求1或2所述一种低功耗发射机，其特征在于：所述启动控制电路还包括用于防止输出信号抖动的斯密特触发器，所述斯密特触发器连接在唤醒延迟关断电路的输出端和与门的第一输入端之间。

4.根据权利要求3所述一种低功耗发射机，其特征在于：所述斯密特触发器包括第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管；

所述唤醒延迟关断电路的输出端分别与第七PMOS管的栅极、第八PMOS管的栅极、第五NMOS管的栅极及第六NMOS管的栅极连接，所述第七PMOS管的漏极分别与第八PMOS管的源极和第九PMOS管的源极连接，所述第八PMOS管的漏极分别与第五NMOS管的漏极、第九PMOS管的栅极、第七NMOS管的栅极、第十PMOS管的栅极及第八NMOS管的栅极连接，所述第五NMOS管的源极分别与第六NMOS管的漏极和第七NMOS管的源极连接，所述第十PMOS管的漏极与第八NMOS管的漏极连接；

所述第七PMOS管的源极、第七NMOS管的漏极及第十PMOS管的源极均接电源电压，所述第六NMOS管的源极、第九PMOS管的漏极及第八NMOS管的源极均接地，所述第八NMOS管的漏极作为斯密特触发器的输出端。

5.根据权利要求1或2所述一种低功耗发射机，其特征在于：还包括第一使能信号输出电路，所述第一使能信号输出电路的输出端分别与启动控制电路的输入端、偏置电路的控制输入端和带隙基准电路的控制输入端连接。