[发明专利]晶体管基板以及显示装置有效
申请号: | 201611072409.X | 申请日: | 2016-11-29 |
公开(公告)号: | CN106816444B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 小出元 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/133 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 以及 显示装置 | ||
1.一种晶体管基板,其具有形成有像素的显示区域、以及位于所述显示区域的外侧的周边区域,所述晶体管基板的特征在于,
所述晶体管基板具有:
公共布线,其形成于所述周边区域;
控制电路,其与所述公共布线的一端连接;
第一导电性布线和第二导电性布线,其与所述公共布线分开形成;
多个第一晶体管,其形成于所述公共布线与所述第一导电性布线之间;以及
多个第二晶体管,其形成于所述公共布线与所述第二导电性布线之间,
所述多个第一晶体管中的每一个具有:
第一栅极电极;
第1A电极和第1B电极,其隔着所述第一栅极电极而形成于两侧;以及
第一沟道,其与所述第一栅极电极相对,
所述多个第二晶体管中的每一个具有:
第二栅极电极;
第2A电极和第2B电极,其隔着所述第二栅极电极而形成于两侧;以及
第二沟道,其与所述第二栅极电极相对,
在所述多个第一晶体管的每一个中,所述第1A电极与所述第一导电性布线连接,所述第1B电极与所述公共布线连接,
在所述多个第二晶体管的每一个中,所述第2A电极与所述第二导电性布线连接,所述第2B电极与所述公共布线连接,
所述公共布线中的位于所述多个第二晶体管与所述控制电路之间的部分的长度比所述公共布线中的位于所述多个第一晶体管与所述控制电路之间的部分的长度更长,
全部所述第二晶体管所包含的所述第二沟道的沟道宽度的总和比全部所述第一晶体管所包含的所述第一沟道的沟道宽度的总和更宽。
2.如权利要求1所述的晶体管基板,其特征在于,
在将与所述公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下,
所述公共布线中的在所述宽度方向上与形成有所述多个第二晶体管的区域相对的部分的面积小于所述公共布线中的在所述宽度方向上与形成有所述多个第一晶体管的区域相对的部分的面积。
3.如权利要求1所述的晶体管基板,其特征在于,具有:
第三导电性布线,其与所述公共布线分开形成;以及
多个第三晶体管,其形成于所述公共布线与所述第三导电性布线之间,
所述多个第三晶体管中的每一个具有:
第三栅极电极;
第3A电极和第3B电极,其隔着所述第三栅极电极而形成于两侧;以及
第三沟道,其与所述第三栅极电极相对,
在所述多个第三晶体管中的每一个中,所述第3A电极与所述第三导电性布线连接,所述第3B电极与所述公共布线连接,
所述公共布线中的位于所述多个第三晶体管与所述控制电路之间的部分的长度比所述公共布线中的位于所述多个第二晶体管与所述控制电路之间的部分的长度更长,
全部所述第三晶体管所包含的所述第三沟道的沟道宽度的总和比全部所述第二晶体管所包含的所述第二沟道的沟道宽度的总和更宽。
4.如权利要求3所述的晶体管基板,其特征在于,
在将与所述公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下,
所述公共布线中的在所述宽度方向上与形成有所述多个第二晶体管的区域相对的部分的面积小于所述公共布线中的在所述宽度方向上与形成有所述多个第一晶体管的区域相对的部分的面积,
所述公共布线中的在所述宽度方向上与形成有所述多个第三晶体管的区域相对的部分的面积小于所述公共布线中的在所述宽度方向上与形成有所述多个第二晶体管的区域相对的部分的面积。
5.如权利要求1所述的晶体管基板,其特征在于,
在将与所述公共布线的延伸方向交叉的方向作为宽度方向的情况下,
所述多个第二晶体管在所述延伸方向和所述宽度方向上排列。
6.如权利要求5所述的晶体管基板,其特征在于,
所述多个第一晶体管在所述延伸方向和所述宽度方向上排列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的