[发明专利]一种硅基遂穿场效应晶体管结构在审
| 申请号： | 201611072440.3 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106783967A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;王勇;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | H01L29/165 | 分类号： | H01L29/165;H01L29/739 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅基遂穿 场效应 晶体管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基遂穿场效应晶体管器件结构，其包括如下：
一半绝缘硅衬底片；
一N型掺杂的硅半导体层；
一P型掺杂的硅锗半导体层；
一氧化硅绝缘层；
一位于N型掺杂的硅半导体层和P型硅锗层之间的栅介质层；
一在栅介质层上，依托氧化硅绝缘层，采用侧墙工艺形成的钨硅合金栅金属电极；
一在N型掺杂的硅半导体层上形成的漏端金属电极；
一在P型掺杂的硅锗半导体层上形成的源端金属电极。
2.根据权利要求1所述的一种硅基遂穿场效应晶体管结构，其特征在于N型掺杂的硅半导体层的厚度为15纳米。
3.根据权利要求1所述的一种硅基遂穿场效应晶体管结构，其特征在于P型掺杂的硅锗半导体层是采用外延的方式形成，硅锗材料为Si0.8Ge0.2，掺杂浓度为1×1020cm-3，厚度为30纳米。
4.根据权利要求1所述的一种硅基遂穿场效应晶体管结构，其特征在于氧化硅绝缘层介质采用PECVD方法形成，采用ICP刻蚀方法刻蚀成型，其厚度为100-300纳米。
5.根据权利要求1所述的一种硅基遂穿场效应晶体管结构，其特性在于钨硅栅金属宽度为20-30纳米。
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