[发明专利]一种Ge基MOS器件结构

权利要求书

1.一种Ge基MOS界面处理方法，其处理步骤如下：

(1)准备一N型掺杂的Ge衬底，进行常规有机清洗；

(2)在臭氧去胶机种进行臭氧处理10分钟，用稀盐酸和稀氨水处理锗表面；

(3)采用硫化铵处理表面后，在极短时间内立刻方法原子层沉积系统

(4)在原子层沉积系统内对样品进行TMA吹扫；

(5)采用以TMA和水为前躯体生长Al₂O₃，厚度为3纳米；

(6)在含氧的氮气环境下对样品片进行退火，退火温度300度，时间为30sec。

2.根据权利要求1所述的一种Ge基MOS界面处理方法，其特征在于采用臭氧处理10分钟，使得表面氧化2-3纳米厚度，形成氧化锗物质。

3.根据权利要求1所述的一种Ge基MOS界面处理方法，其特征在于采用的稀释的盐酸和氨水溶液的百分比浓度都为5％，处理时间都是2分钟。

4.根据权利要求1所述的一种Ge基MOS界面处理方法，其特征在于采用硫化铵溶液处理后，在3分钟之内进入原子层沉积系统腔体。

5.根据权利要求1所述的一种Ge基MOS界面处理方法，其特征在于TMA的吹扫时间为10分钟。

6.根据权利要求1所述的一种Ge基MOS界面处理方法，其特征在于在氧气环境下进行退火时，采用的氧气为氧气与氮气的混合气体，比例为10％，退火环境为真空环境。