[发明专利]一种大面积纳米缝隙阵列及其制作方法

权利要求书

1.一种用于大面积纳米缝隙阵列结构制作的方法，其特征在于，利用角度沉积结合基底旋转，通过调节基底的旋转速度、纳米掩模结构、沉积角度及沉积速度进行制作大面积纳米缝隙阵列结构。

2.根据权利要求1所述的大面积纳米缝隙阵列结构的制作方法，其特征在于基底的旋转速度、纳米掩模结构、沉积角度及沉积速度要相互耦合。

3.根据权利要求1所述的纳米掩模结构，其特征在于，可以产生阴影效应的纳米结构，包括周期性和非周期性的纳米结构，特别包括光栅结构。

4.根据权利要求3所述的光栅结构，其特征在于制作方法包括机械刻划技术、光学曝光技术、干涉光刻技术、电子束曝光技术、离子束曝光技术、纳米压印技术、刻蚀技术，任意前述用于制作光栅沉积掩模的技术，或所述微纳加工技术的任意组合。

5.根据权利要求3所述的光栅的结构，其特征在于，制作光栅作为沉积掩模，调节光栅形貌来调控阴影效应的区域，具体来说就是调节光栅的振幅、周期及占空比。

6.根据权利要求1所述的角度沉积结合基底旋转的方法，其特征在于，利用转台调节沉积源与基底之间的夹角，制作参数的范围为(a)沉积角度的范围为0至90°之间(b)基底的旋转速度为0.01rpm至1000rpm之间(c)沉积速率在0.01nm/s至100nm/s之间。

7.一种大面积的纳米缝隙阵列结构，按照权利要求1所提供的方法，其特征在于以纳米光栅为沉积掩模，制作出周期性的纳米缝隙阵列结构。

8.根据权利要求7所述的大面积纳米缝隙阵列结构，其特征在于，光栅掩模基板、位于光栅表面所沉积的膜、原光栅波谷处新沉积出的光栅线条，形成线条之间的纳米缝隙。

9.根据权利要求7所述的大面积纳米缝隙阵列结构，其特征在于，当沉积的材料为金属时，纳米缝隙可以起到电磁场耦合的作用，可以增强纳米结构表面的电磁场、光吸收特性以及光辐射特性。

10.根据权利要求9所述的大面积纳米缝隙阵列结构，其中增强的光辐射的特性包括荧光和表面增强拉曼散射。