[发明专利]铜铟镓硒光电转换装置在审
申请号: | 201611072967.6 | 申请日: | 2016-11-29 |
公开(公告)号: | CN106601843A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 梁结平 | 申请(专利权)人: | 梁结平 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H02S20/22;H02S40/34 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所44242 | 代理人: | 冯筠 |
地址: | 528000 广东省佛山市三水区云东海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铜铟镓硒 光电 转换 装置 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池的技术领域,特别是涉及一种铜铟镓硒光电转换装置。
背景技术
随着常规发电成本的上升和人们对环境保护的日益重视,一些国家纷纷实施、推广太阳能屋顶计划,并提出了“建筑物产生能源”的新概念,由此推动了光电技术的大规模开发与应用,光电幕墙的最大优点在于,它不需燃料,不产生废气,无余热,无废渣,无噪音污染,可用来发电。由于能发电,可少交电费,在国外还可将多余的电卖给电力局。由此可见,光电幕墙本身就是一种可以产生经济效益和绿色环保效益的高科技新产品。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足,提供一种单位功率大、生产成本低、环保节能的用于建筑的铜铟镓硒光电转换装置。
为实现上述目的,本发明提出的一种铜铟镓硒光电转换装置,其由透明玻璃、胶片、铜铟镓硒光伏电池片、背板和接线盒构成,其中铜铟镓硒光伏电池片通过胶片固定在透明玻璃和背板之间,电池片的两端分别引出接线端,接上接线盒,所述背板包括依次层叠的绝缘层、粘结层、阻隔层、粘结层和耐候层,所述铜铟镓硒光伏电池片包括从下到上依次排列的衬底、铝背电极、P型铜铟镓硒层、镉掺杂N型铜铟镓硒层、ITO透明导电薄膜层、P型碲化镉层、N型硫化镉层、氧化锌窗口层以及正面金属电极。
作为优选,所述的铜铟镓硒光伏电池由多片平行摆放组成,每片铜铟镓硒光伏电池的周边都设有胶片,铜铟镓硒光伏电池片之间通过铜箔连接电极。
作为优选,所述背板被切去两个45度的角,直角边边长不小于50毫米,接线盒通过密封胶粘接在光电转换装置的侧面和底部。使得该铜铟镓硒光电转换装置外观整洁美观,铜铟镓硒光电转换装置的两端都接有接线盒,可以根据具体情况选择接线。
作为优选,所述绝缘层为PET层,所述粘结层为聚乙酸乙烯酯层、聚乙烯醇缩丁醛层或烯烃类聚合物层,所述阻隔层为金属铝层,所述耐候层为聚苯硫醚层,以聚苯硫醚层的总质量为基准,所述聚苯硫醚层中含有45-90wt%的聚苯硫醚树脂、10-50wt%的无机填料和0.05-2wt%的助剂。
作为优选,所述绝缘层的厚度为10-50微米,所述粘结层的厚度为10-50微米,所述阻隔层的厚度为100-300微米,所述耐候层的厚度为20-70微米。
本发明具有成本低廉、性能优越,降低了光电转换装置对安装角度的要求、施工安装方便、使用寿命长等优点,同时并联的电池片之间留有一定的空隙,使光电转换装置不会轻易的因为重力变形而断裂;相对完整独立的光电幕墙,降低了建筑现场施工的难度,对施工人员的技术水平依赖很少,减少现场施工的人员成本,也利于整体施工质量的提高,同时背板材质的选择有利于减少环境污染。
附图说明
图1是本发明的铜铟镓硒光电转换装置的侧视图;
图2是本发明的铜铟镓硒光电转换装置的仰视图;
图3是本发明的铜铟镓硒光电转换装置的背板的结构示意图。
具体实施方式
如图1-3所示,一种铜铟镓硒光电转换装置,其由透明玻璃1、胶片2、5、铜铟镓硒光伏电池片4、背板6和接线盒3构成,透明玻璃1一般采用高透钢化玻璃,以增加使用寿命和采光效率,其中铜铟镓硒光伏电池片4通过胶片2、5固定在透明玻璃1和背板6之间,从侧面引出接线端,接上接线盒3,接线盒3通过密封胶7粘接在光电转换装置的侧面和底部,其中铜铟镓硒光电转换装置的两端都接有接线盒,方便具体施工时的接线,所述背板6包括依次层叠的绝缘层61、粘结层62、阻隔层63、粘结层62和耐候层64,所述铜铟镓硒光伏电池片4包括从下到上依次排列的衬底、铝背电极、P型铜铟镓硒层、镉掺杂N型铜铟镓硒层、ITO透明导电薄膜层、P型碲化镉层、N型硫化镉层、氧化锌窗口层以及正面金属电极。
本发明中所述的铜铟镓硒光伏电池4由多片平行摆放组成,每片铜铟镓硒光伏电池的周边都设有胶片,铜铟镓硒光伏电池片之间通过铜箔连接电极,所述背板被切去两个45度的角,直角边边长不小于50毫米。
本发明中所述绝缘层61为PET层,所述绝缘层61的厚度为10-50微米,所述粘结层62为聚乙酸乙烯酯层、聚乙烯醇缩丁醛层或烯烃类聚合物层,所述粘结层62的厚度为10-50微米,所述阻隔层63为金属铝层,所述阻隔层63的厚度为100-300微米,所述耐候层为聚苯硫醚层,以聚苯硫醚层的总质量为基准,所述聚苯硫醚层中含有45-90wt%的聚苯硫醚树脂、10-50wt%的无机填料和0.05-2wt%的助剂,所述耐候层的厚度为20-70微米。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的