[发明专利]用于结构化衬底的方法有效
申请号: | 201611073704.7 | 申请日: | 2016-11-29 |
公开(公告)号: | CN106816361B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | M·米希兹;F·伯恩斯坦纳;M·海恩里希 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱;张昊 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 结构 衬底 方法 | ||
1.一种用于结构化衬底的方法,包括:
在所述衬底之上设置粘性材料,所述衬底包括延伸到所述衬底中的至少一个外形特征,以在所述衬底之上形成保护层;
在所述粘性材料与所述衬底的接触时段期间调整所述粘性材料的粘度,以稳定所设置的所述粘性材料的空间分布;
使用所述保护层作为掩模来处理所述衬底;以及
在处理所述衬底之后去除所述保护层。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中调整所述粘性材料的粘度包括:在所述粘性材料偏离所述粘性材料接触所述衬底的位置之前,将所述粘性材料转化为非粘性状态。
3.根据权利要求1所述的方法,
其中通过顺序沉积工艺在所述衬底之上设置所述粘性材料。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括:
将至少一个半导体电路元件形成为位于所述衬底中或位于所述衬底之上的至少一种情况,其中所述至少一个半导体电路电连接至所述至少一个外形特征。
5.根据权利要求1所述的方法,
其中调整所述粘性材料的粘度被配置为:在所述保护层与所述衬底之间形成至少一个中空结构。
6.根据权利要求1所述的方法,
其中通过改变以下条件中的至少一个来调整所述粘性材料的粘度:所述粘性材料的温度;所述粘性材料的化学结构。
7.根据权利要求1所述的方法,
其中所述粘性材料在接触所述衬底之前的温度大于所述粘性材料的凝固温度。
8.根据权利要求1所述的方法,
其中所述衬底所包含的温度小于所述粘性材料的凝固温度,所述凝固温度用于冷却所述粘性材料。
9.根据权利要求1所述的方法,
其中所述粘性材料包括热塑性材料。
10.根据权利要求1所述的方法,
其中所述粘性材料包括热熔材料。
11.根据权利要求1所述的方法,
其中所述粘性材料不具有挥发性溶剂。
12.根据权利要求1所述的方法,
其中使用按需滴定工艺来设置所述粘性材料。
13.根据权利要求1所述的方法,
其中调整所述粘性材料的粘度,使得当所述至少一个外形特征包括微观开口时,所述粘性材料不流入到所述外形特征中。
14.根据权利要求1所述的方法,
其中调整所述粘性材料的粘度,使得当所述至少一个外形特征包括宏观开口时,所述粘性材料内衬所述外形特征。
15.根据权利要求1所述的方法,
其中所述至少一个外形特征包括以下外形特征中的至少一种:孔隙、开口、阶梯、凹部、沟槽、与平坦平面的宏观偏差。
16.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在处理所述衬底之前,使用光刻方式来结构化所述保护层。
17.一种用于结构化衬底的方法,包括:
用牺牲材料至少部分地填充延伸到所述衬底中的至少一个外形特征;
在所述牺牲材料之上设置粘性材料,以在所述至少一个外形特征之上形成保护层;
使用所述保护层作为掩模来处理所述衬底;以及
在处理所述衬底之后,去除所述保护层和所述牺牲材料。
18.根据权利要求17所述的方法,
其中所述牺牲材料在溶剂中的溶解性大于所述粘性材料在所述溶剂中的溶解性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611073704.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:形成纳米线的方法
- 下一篇:一种增大过孔层的过孔坡度角的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造