[发明专利]电子芯片

权利要求书

1.一种电子芯片，包括：

第一导电类型的半导体区域；

第一导电类型的多个第一半导体条和第二导电类型的多个第二半导体条，所述多个第一半导体条和所述多个第二半导体条交替且连续地设置在所述半导体区域上，所述第二半导体条中的每个具有端部；

多对检测触点，每对中的所述检测触点被设置在所述第二半导体条中的相应一个第二半导体条的端部；

一个或多个检测电路，被配置为检测设置在每个第二半导体条的所述端部的所述检测触点之间的电阻；

绝缘槽，所述绝缘槽在所述第二半导体条中延伸下降到第一深度，并限定所述电子芯片的相应的活动区域；以及

绝缘壁，所述绝缘壁中的每个绝缘壁延伸穿过所述第二半导体条中的相应一个第二半导体条的整个宽度并下降到第二深度，所述第二深度大于所述第一深度。

2.根据权利要求1所述的电子芯片，其中第二深度与第一深度的比值大于1.5。

3.根据权利要求1所述的电子芯片，包括：

一个或多个开关；以及

多个偏置触点，所述多个偏置触点在所述第二半导体条中的每个上，每个第二半导体条通过所述一个或多个开关而电耦合到偏置电势端子。

4.根据权利要求1所述的电子芯片，其中每个绝缘壁均具有位于所述绝缘槽中的对应的一个绝缘槽中的部分。

5.根据权利要求1所述的电子芯片，进一步包括位于所述第二半导体条中的所述第一导电类型的多个掺杂区域，每个绝缘壁均具有下部，所述下部接触所述掺杂区域中对应的一个掺杂区域。

6.根据权利要求5所述的电子芯片，进一步包括分别定位在所述绝缘壁中的多个导电壁，每个导电壁电耦合到接地端子。

7.根据权利要求1所述的电子芯片，其中所述绝缘壁中的每个具有在50纳米到150纳米范围的宽度。

8.根据权利要求1所述的电子芯片，其中所述一个或多个检测电路包括被配置为比较所述第二半导体条中的两个第二半导体条的电阻以及在所述两个第二半导体条之间的电阻比值大于阈值时生成报警信号的检测电路。

9.根据权利要求8所述的电子芯片，其中所述阈值在2到5的范围中。

10.根据权利要求8所述的电子芯片，其中所述一个或多个检测电路中的所述检测电路被配置为将电压施加到所述两个第二半导体条的所述检测触点上，并将流经所述两个第二半导体条中的一个半导体条的放大的电流值与流经所述两个第二半导体条中的另一个半导体条的电流值进行比较。

11.根据权利要求10所述的电子芯片，其中所述电压在300毫伏到600毫伏的范围中。

12.一种电子芯片，包括：

第一导电类型的半导体区域；

第一导电类型的多个第一半导体条和第二导电类型的多个第二半导体条，所述多个第一半导体条和所述多个第二半导体条交替且连续地设置在所述半导体区域上；

第一检测触点和第二检测触点，接触所述第二半导体条中的第一第二半导体条的端部；

检测电路被配置为检测所述第一检测触点和所述第二检测触点之间的第一电阻；

绝缘槽，所述绝缘槽在所述第二半导体条中的所述第一第二半导体条中延伸下降到第一深度，并限定所述电子芯片的相应的活动区域；以及

绝缘壁，所述绝缘壁中的每个绝缘壁延伸穿过所述第二半导体条中的所述第一第二半导体条的整个宽度并下降到第二深度，所述第二深度大于所述第一深度，所述绝缘壁中的第一绝缘壁的宽度在在紧邻所述第二半导体条中的所述第一第二半导体条的所述第一半导体条之间延伸。