[发明专利]一种微米级晶粒结构磷铜球的生产方法

权利要求书

1.一种微米级晶粒结构磷铜球的生产方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

（1）将高纯阴极铜和磷含量为12%-16%的磷铜中间合金加入熔炼炉中熔炼，熔炼温度为1140-1150℃，熔炼合格的铜液经过渡通道导入保温炉，保温温度为1140-1150℃，测定保温炉中的铜液化学成分并根据测定结果调整高纯阴极铜和磷铜中间合金的加入量，使得铜液中磷含量精准控制在0.0540%-0.0590%之间，铜含量大于99.9300%以上；

（2）将步骤（1）中熔炼得到的铜液采用连续结晶铸造法生产磷铜杆坯，磷铜杆坯的直径为25.0mm，磷铜杆坯经收线装置收为盘杆；

（3）将步骤（2）中所得到的磷铜杆坯经晶粒细化破碎设备高温挤压，挤压温度为500℃-700℃，并经常温冷却水冷却后快速晶粒破碎为晶粒致密细小的磷铜杆坯，磷铜杆坯的直径为20.0mm；

（4）将步骤（3）中所得到的磷铜杆坯按照步骤（3）的破碎方法经晶粒细化破碎设备二次晶粒细化破碎，该磷铜杆坯具有微米级晶粒结构，磷铜杆坯的直径为25.0mm；

（5）将步骤（4）中所得到的磷铜杆坯采用斜轧机连续轧制成磷铜球，磷铜球的直径为25.0mm；

（6）将步骤（5）轧制得到的磷铜球经抛光桶抛光、清洗，再经烘干、打包为最终的轧制微晶磷铜球成品。

2.根据权利要求1所述的一种微米级晶粒结构磷铜球的生产方法，其特征在于：所述步骤（1）中的高纯阴极铜的纯度达99.99%。

3.根据权利要求1所述的一种微米级晶粒结构磷铜球的生产方法，其特征在于：所述步骤（1）中的熔炼炉为工频感应连体炉。

4.根据权利要求1所述的一种微米级晶粒结构磷铜球的生产方法，其特征在于：所述步骤（1）中测定保温炉中铜液化学成分时采用光电发射光谱法。

5.根据权利要求1所述的一种微米级晶粒结构磷铜球的生产方法，其特征在于：所述步骤（5）中采用导板穿孔机式斜轧机连续轧制，轧制时两个带螺旋孔型轧辊相互交叉配置，以相同方向旋转，带动圆形轧件反向旋转并前进，轧件在螺旋孔型作用下，直径压缩轴向延伸，轧制成磷铜球，轧制时轧辊每转一周咬入的金属量，刚好可旋压成一个完整的球。