[发明专利]一种含埋氧层结构的光电探测器

权利要求书

1.一种含埋氧层结构的光电探测器，包括：由重掺杂P型Ge层(7)、含埋氧层(5)的重掺杂N型Si层(4)和中间掺入的本征Ge层(6)构成的一个Ge PIN型光电二极管以及由含埋氧层(5)的重掺杂N型Si层(4)、重掺杂P型Si层(2)和中间掺入的本征Si层(3)构成的一个Si PIN型光电二极管通过含埋氧层(5)的重掺杂N型Si层(4)背靠背相连；

所述埋氧层(5)与重掺杂N型Si层(4)形成布拉格反射镜；

含埋氧层(5)的重掺杂N型Si层(4)、本征Ge层(6)和重掺杂P型Ge层(7)构成一个平面结构(12)，本征Si层(3)和重掺杂P型Si层(2)构成一个台面结构(11)；

重掺杂P型Ge层(7)下表面设有第一金属阳极接触(8)，在含埋氧层(5)的重掺杂N型Si层(4)上表面左右两侧设有金属阴极接触(9)，在重掺杂P型Si层(2)上表面左右两侧设有第二金属阳极接触(10)；

台面结构(11)上表面、侧壁和平面结构(12)上表面左右两侧淀积有一层钝化层(1)。

2.如权利要求1所述一种含埋氧层结构的光电探测器，其特征在于，所述埋氧层(5)的层数为1-5层，每层形成布拉格反射镜的埋氧层厚度为每层形成布拉格反射镜的重掺杂N型Si层的厚度为式中，λ＝0.85μm，为重掺杂N型Si层(4)的折射率，为SiO₂的折射率，k为非负整数。

3.如权利要求1所述一种含埋氧层结构的光电探测器，其特征在于，第一金属阳极接触(8)、金属阴极接触(9)和第二金属阳极接触(10)的材料为Al。

4.如权利要求1所述一种含埋氧层结构的光电探测器，其特征在于，所述钝化层(1)的材料为SiO₂，厚度为式中，λ＝0.85μm,为SiO₂的折射率，k为非负整数。

5.如权利要求1所述一种含埋氧层结构的光电探测器，其特征在于，所述埋氧层(5)的横向长度大于本征Si层(3)的横向长度，但小于重掺杂N型Si层(4)的横向长度。

6.如权利要求1所述一种含埋氧层结构的光电探测器，其特征在于，所述重掺杂P型Si层(2)的掺杂浓度达到10¹⁹cm^-3数量级。

7.如权利要求1所述一种含埋氧层结构的光电探测器，其特征在于，所述本征Si层(3)的掺杂浓度达到10¹³cm^-3数量级。

8.如权利要求1所述一种含埋氧层结构的光电探测器，其特征在于，所述含埋氧层(5)的重掺杂N型Si层(4)的掺杂浓度达到10¹⁹cm^-3数量级。

9.如权利要求1所述一种含埋氧层结构的光电探测器，其特征在于，所述本征Ge层(6)的掺杂浓度比含埋氧层(5)的重掺杂N型Si层(4)的掺杂浓度低至少4个数量级。

10.如权利要求1所述一种含埋氧层结构的光电探测器，其特征在于，所述重掺杂P型Ge层(7)的掺杂浓度达到10¹⁹cm^-3数量级。