[发明专利]一种改善晶硅太阳电池光致衰减的装置在审
申请号: | 201611075861.1 | 申请日: | 2016-11-25 |
公开(公告)号: | CN106784134A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 罗雷 | 申请(专利权)人: | 罗雷 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所44242 | 代理人: | 冯筠 |
地址: | 528000 广东省佛山市三水*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 太阳电池 衰减 装置 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种改善晶硅太阳电池光致衰减的装置。
背景技术
目前,光致衰减(light-induced degradation:LID)是指晶硅太阳能电池经过光照后电池效率下降的现象,在P型单晶电池上最明显,衰减比可以达到相对比3%-7%,其次是多晶,也在1%-1.5%之间,以常见的标准商业60片多晶组件为例,电池效率为17.5%,那么由于LID现象造成的组件输出功率损耗约在2.55W-4W之间。而单晶P型电池片远高于这个范围。目前普遍被认可的解释是由于B-O复合中心造成的。要消除这种现象,方法可以是降低硅片中B或O含量,镓或铟取代B作为P型掺杂剂,或者采用P作为N型掺杂剂。但这些方法均存在着生产成本增加的缺点,因此不利于工业化生产。近几年出现一种光照下加热的方法,但需要几十分钟至几小时不等,不适宜量产。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种快速改善晶硅太阳电池光致衰减的装置,它能够节省光源和加热器件的使用数量,降低设备成本,有效地缩短对电池片的处理时间,增加其生产产能,降低了生产成本,满足产业化生产的需求。
为了解决上述问题,本发明采用的技术方案是:一种改善晶硅太阳电池光致衰减的装置,包括保温箱体、光源、多个加热器件和放置电池片的电池片传送带,所述电池片传送带设置在保温箱体内,并且电池片传送带为圆形或U形结构,所述光源包括多个相互独立且可拆卸的光源箱,每个所述光源箱的光照强度和光照高度均可调,多个光源箱分布在电池片传送带的上方以便用于照射电池片传送带上的电池片,多个加热器件安装在保温箱体内,并且分布在电池片传动带的下方以便用于加温电池片传送带上的电池片。
作为优选,所述的电池片传送带为圆形结构时,其半径为1.5m~4m;所述的电池片传送带为U形结构时,其U形总长2.5m~8m,电池片传送带的U形部位的半径为0.8m~3m。
作为优选,所述的加热器件为加热电阻丝。
作为优选,每个所述光源箱均包括光源箱体、灯管和玻璃底板,所述灯管设置于所述光源箱体内,所述玻璃底板设置于所述光源箱体的底部。
作为优选,所述光源箱体上还设置有冷凝器和离心风机,所述离心风机与所述光源箱体的上部相连,所述冷凝器的一端与所述光源箱体的内部相通,所述冷凝器的另一端与所述离心风机相通。
作为优选,所述光源箱体包括内壳层、中间层和表壳层,所述内壳层和所述表壳层均设置为不锈钢构件,所述中间层设置为保温棉层。
采用了上述技术方案后,该装置设备简单,操作容易,适合流水线生产,且圆形或U形的电池片传送带的设计可以节省光源和加热器件的使用数量,降低设备成本;采用光照下加热的方法对电池片进行免接触式改善电池片光致衰减的特性,并通过进一步对光照强度和加热温度的优化,可以有效地缩短对电池片的处理时间,最快可以达到秒的量级,从而增加产能,降低生产成本,满足产业化生产的需求。
附图说明
图1为本发明所述一种改善晶硅太阳电池光致衰减的装置结构示意图。
图2为本发明中光源小箱的立体结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步的详细描述。
如图1、图2所示,一种改善晶硅太阳电池光致衰减的装置,包括保温箱体2、光源、多个加热器件4和放置电池片的电池片传送带1,所述电池片传送带1设置在保温箱体2内,并且电池片传送带1为圆形或U形结构,所述光源包括多个相互独立且可拆卸的光源箱3,每个所述光源箱3的光照强度和光照高度均可调,多个光源箱3分布在电池片传送带1的上方以便用于照射电池片传送带1上的电池片,多个加热器件4安装在保温箱体2内,并且分布在电池片传动带1的下方以便用于加温电池片传送带1上的电池片。该装置可以置于烧结工艺步骤之后电池分选之前,该装置当然也可以同烧结工艺相结合,即在烧结工艺中添加光源。
所述的电池片传送带为圆形结构时,其半径为1.5m~4m;所述的电池片传送带为U形结构时,其U形总长2.5m~8m,电池片传送带的U形部位的半径为0.8m~3m。
所述的加热器件为加热电阻丝。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的