[发明专利]基于废弃单片的异构集成太赫兹混频器及其实现方法

权利要求书

1.一种基于废弃单片的异构集成太赫兹混频器，其特征在于：包括石英基板（1），所述石英基板（1）内设置有依次连接的薄膜二极管（2）、本振低通滤波器（3）和中频滤波器（4），所述薄膜二极管（2）为薄膜GaAs太赫兹反向并联肖特基混频二极管，所述薄膜二极管（2）采用废弃单片上取下来的二极管，该二极管的具体采集方法为：采用切片工具将废弃单片上核心器件当做分立器件进行操作，仅留下可实现混频功能的反向并联肖特基二极管对。

2.根据权利要求1所述的一种基于废弃单片的异构集成太赫兹混频器，其特征在于：所述薄膜二极管（2）两端通过金微带线分别与本振低通滤波器（3）和射频/中频地端（5）相连。

3.根据权利要求1所述的一种基于废弃单片的异构集成太赫兹混频器，其特征在于：还包括射频输入端（6）、本振输入端（7），所述薄膜二极管（2）的一端通过金微带线横跨在射频输入端（6）上，所述本振低通滤波器（3）通过金微带线横跨在本振输入端（7）上且与中频滤波器（4）相连。

4.根据权利要求3所述的一种基于废弃单片的异构集成太赫兹混频器，其特征在于：所述金微带线的厚度为3微米。

5.根据权利要求1所述的一种基于废弃单片的异构集成太赫兹混频器，其特征在于：所述薄膜二极管（2）的正面朝上。

6.根据权利要求1所述的一种基于废弃单片的异构集成太赫兹混频器，其特征在于：所述石英基板（1）的厚度为30微米至50微米。

7.一种基于废弃单片的异构集成太赫兹混频器的实现方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、采集废弃单片上的反向并联肖特基二极管；

b、将反向并联肖特基二极管倒桩焊接在石英基板上；

c、将本振低通滤波器和中频滤波器印刷在石英基板上；

步骤a具体采用切片工具将废弃单片上核心器件当做分立器件进行操作，仅留下可实现混频功能的反向并联肖特基二极管对。