[发明专利]去气腔室和半导体加工设备

说明书

本发明提供一种去气腔室和半导体加工设备。本发明的去气腔室，包括：腔体和设置于腔体上部的加热装置，加热装置通过发出的光线对放置于腔体内的待加工件进行加热；腔体的内侧壁和/或内底壁设置有防反射结构，用于减弱或消除腔体的内侧壁和/或内底壁对光线的反射。本发明的半导体加工设备包括本发明的去气腔室。本发明的去气腔室，能够减弱甚至消除去气腔室的内侧壁和/或内底壁对加热装置发射出的光线的反射，从而消除了发生反射的光线产生的热量对待加工件的加热效应，使待加工件的温度不再随去气腔室的内壁变脏而降低。

技术领域

本发明属于半导体设备制造技术领域，具体涉及一种去气腔室和半导体加工设备。

背景技术

在半导体设备集成系统中，按照功能主要分三类模块，包括去气工艺模块、预清洗工艺模块和沉积工艺模块。其中，去气工艺模块是整个工艺流程中的第一个工艺模块，主要是对待加工件进行去气，以去除待加工件S表面或者内部残存的杂质气体，这些杂质气体不能出现在后续工艺腔室内，否则会影响半导体器件的性能。

在现有技术中，去气工艺模块对待加工件进行烘烤去气，主要通过三种方式，一是卤素灯加热，二是加热板加热，三是卤素灯和加热板同时加热。对于利用卤素灯加热的方式，一般情况下是卤素灯在大气中，中间用透明的介质窗与真空隔开，通过光照的方式对待加工件进行加热。具体地，请参照图1，去气腔室包括腔体1、介质窗2、灯罩3和卤素灯4，其中，腔体1位于介质窗2的下方，腔体1的侧壁与介质窗2的下表面使得整个腔室为一密闭环境，即形成一真空腔；介质窗2一般采用石英制成，呈透明态；灯罩3位于介质窗2的上方，灯罩3上设置有卤素灯4，卤素灯4的数量为多个，周向分布在灯罩3上，卤素灯4发射出光线(红外光线)，该光线能够透过介质窗2对位于腔体1内的待加工件S进行加热。

但现有技术中至少存在如下问题：由于腔体1的内壁一般采用金属材料制成，因此，卤素灯4发射出的光线可透过透明的介质窗2射向腔体1的内壁，腔体1的内壁会对该光线进行反射，被反射的光线也能够对待加工件S进行加热，随着待加工件S的作业片数增加，去气工艺烘烤出来的杂质气体附着在腔室1的内壁，使得腔室1的内壁变脏，导致腔室1的内壁对该光线的反射减弱，因此，腔室1的内壁在多次工艺过程反射的光线并不相同(即，不稳定)，从而无法使多次工艺过程中腔体1内的温度相同，若采用相同的工艺时间，则使得多次工艺中待加工件S去气效果不同，从而影响后续的工艺质量；若要去气效果相同，则多次工艺所需的工艺时间不同，从而使得工艺操作复杂。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种能够避免因腔体的内壁变脏导致的卤素灯发射出的光线对待加工件S的加热效果降低的去气腔室和半导体加工设备。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种去气腔室，包括：腔体和设置于所述腔体上部的加热装置，所述加热装置通过发出的光线对放置于所述腔体内的待加工件进行加热；

所述腔体的内侧壁和/或内底壁设置有防反射结构，用于减弱或消除所述腔体的内侧壁和/或内底壁对所述光线的反射。

其中，所述防反射结构为设置在所述内侧壁和/或内底壁的防反射膜层。

其中，所述防反射膜层为金属氧化膜层。

其中，所述金属氧化膜层为铝的氧化膜层或铝合金的氧化膜层。

其中，在所述腔体的内侧壁和/或内底壁设置有防反射板。

其中，设置在所述腔体内侧壁的所述防反射板，为套置在所述腔体的内侧壁的环状防反射板。

其中，所述环状防反射板与所述内侧壁贴合或间隔一定距离。

其中，所述环状防反射板的内壁设置有金属氧化膜层。

其中，在所述腔体的内侧壁和/或内底壁中设置有冷却装置，用于降低所述腔体的内侧壁和/或内底壁的温度。