[发明专利]一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构在审
| 申请号： | 201611076150.6 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106783941A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;王勇;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/772 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅基硅锗 漂移 ldmosfet 器件 结构 | ||
1.一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构，其包括：
一P型硅基半导体沟道层；
一N型掺杂的硅半导体漂移层；
一重N型掺杂的硅基半导体接触层；
一N型掺杂的硅锗半导体漂移层；
一个深度到P型沟道层的100纳米长的栅槽；
一在该栅槽内沉积的氧化硅介质层；
一在该介质层上沉积的栅金属；
两个由离子注入形成的重N型掺杂的源漏区域；
两个在源漏区域沉积的源漏电极。
2.根据权利要求1所述的一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构，其特征在于P型掺杂的半导体沟道层的掺杂浓度为3×1017cm-3。
3.根据权利要求1所述的一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构，其特征在于N型掺杂的硅半导体漂移层的厚度为20纳米，掺杂浓度为7×1017cm-3。
4.根据权利要求1所述的一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构，其特征在于N型掺杂的硅锗半导体漂移层的厚度为30纳米，掺杂浓度为3×1017cm-3。
5.根据权利要求1所述的一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构，其特征在于栅金属覆盖一部分硅锗半导体层，覆盖的长度为50-100纳米。
6.根据权利要求1所述的一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构，其特征在于栅金属覆盖一部分一重N型掺杂的硅基半导体接触层；，覆盖的长度为30-50纳米。
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