[发明专利]一种用于ESD保护的双向SCR结构在审
| 申请号： | 201611077362.6 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106783942A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 蔡小五;魏俊秀;高哲;梁超;刘兴辉;翟丽蓉;吕川;闫明 | 申请（专利权）人： | 辽宁大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 沈阳杰克知识产权代理有限公司21207 | 代理人： | 郑贤明 |
| 地址： | 110000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 esd 保护 双向 scr 结构 | ||
1.一种用于ESD保护的双向SCR结构，包括有P型衬底（1），其特征在于：在P型衬底（1）中间上部设有DNW阱（2）；
所述的DNW阱（2）里形成PWell阱（3）和NWell阱（4），PWell阱（3）上设有第一P+注入区（5）和第一N+注入区（6）；
所述的P型衬底（1）的一侧上部设有第二P+注入区（7）和第二N+注入区（8），另一侧上部设有第三P+注入区（9）和第三N+注入区（10）。
2.根据权利要求1所述的一种用于ESD保护的双向SCR结构，包括有P型衬底（1），其特征在于：从所述的第一P+注入区（5）依次到PWell阱（3）、DNW阱（2）、P型衬底（1），第二N+注入区（8）和第三N+注入区（10），构成正向ESD电流释放路径SCR1；从所述的第二P+注入区（7）和第三P+注入区（9）依次到P型衬底（1）、DNW阱（2）PWell阱（3），第一N+注入区（6），构成反向ESD电流释放路径SCR2。
3.根据权利要求2所述的一种用于ESD保护的双向SCR结构，包括有P型衬底（1），其特征在于：所述的从第一P+注入区（5）依次到PWell阱（3）、DNW阱（2）、P型衬底（1），第二N+注入区（8）的通路长度等于从第一P+注入区（5）依次到PWell阱（3）、DNW阱（2）、P型衬底（1），第三N+注入区（10）的通路长度。
4.根据权利要求2所述的一种用于ESD保护的双向SCR结构，包括有P型衬底（1），其特征在于：所述的从第二P+注入区（7）依次到P型衬底（1）、DNW阱（2）PWell阱（3），第一N+注入区（6）的通路长度等于从第三P+注入区（9）依次到P型衬底（1）、DNW阱（2）PWell阱（3），第一N+注入区（6）的通路长度。
5.根据权利要求1所述的一种用于ESD保护的双向SCR结构，包括有P型衬底（1），其特征在于：所述的第一P+注入区（5）和第一N+注入区（6）形成T1端口；第二P+注入区（7）和第二N+注入区（8），第三P+注入区（9）和第三N+注入区（10）形成T2端口，T1端口设置在中间，T2端口分别设置在两边，为对称性结构。
6.根据权利要求1所述的一种用于ESD保护的双向SCR结构，包括有P型衬底（1），其特征在于：所述的DNW阱（2）里中间形成PWell阱（3），PWell阱（3）的外侧形成NWell阱（4）。
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