[发明专利]一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件在审
| 申请号： | 201611077364.5 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106783943A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 蔡小五;魏俊秀;高哲;梁超;刘兴辉;翟丽蓉;吕川;闫明 | 申请（专利权）人： | 辽宁大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 沈阳杰克知识产权代理有限公司21207 | 代理人： | 郑贤明 |
| 地址： | 110000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 esd 保护 低压 触发 双向 scr 器件 | ||
1.一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件，包括有P型衬底（1），其特征在于：在P型衬底上设有NWell阱（2）和PWell阱（3），PWell阱（3）设置在中间, NWell阱（2）设在PWell阱（3）两侧；中间的PWell阱（3）里形成有第三P+注入区（8）；一侧的NWell阱（2）里形成有第一N+注入区（4）和第一P+注入区（5），另一侧的NWell阱（2）里形成有第二N+注入区（6）和第二P+注入区（7）。
2.根据权利要求1所述的一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件，包括有P型衬底（1），其特征在于：所述的第一P+注入区（5）与第三P+注入区（8）之间，第三P+注入区（8）与第二P+注入区（7）之间，均设有浮空的栅氧化层多晶硅栅9。
3.根据权利要求1所述的一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件，包括有P型衬底（1），其特征在于：所述的第一N+注入区（4）和第一P+注入区（5）构成T1端口，第二N+注入区（6）和第二P+注入区（7）构成T2端口。
4.根据权利要求3所述的一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件，包括有P型衬底（1），其特征在于：从T1到T2，正向ESD电流泄放路径SCR2为，由第一P+注入区（5）依次经过NWell阱（2）、PWell阱（3）、NWell阱（2），最后到第二N+注入区（6）；从T2到T1，反向ESD电流泄放路径SCR1为，由第二P+注入区（7）依次经过NWell阱（2）、PWell阱（3）、NWell阱（2），最后到第一N+注入区（4）。
5.根据权利要求4所述的一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件，包括有P型衬底（1），其特征在于：所述的SCR1与SCR2通路长度一致，且为对称性的结构。
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