[发明专利]等离子体蚀刻方法

说明书

本发明的目的在于提供一种将在氧化硅膜与氮化硅膜之间的界面产生的台阶去除的等离子体蚀刻方法。该等离子体蚀刻方法包括如下工序：第1工序，在该第1工序中，使用第1高频电源所输出的第1高频电力而从含有含氟气体的第1处理气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜与氮化硅膜的层叠膜进行蚀刻；第2工序，其在所述第1工序之后，在该第2工序中，使用所述第1高频电力而从含有含溴气体的第2处理气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对所述层叠膜进行蚀刻。

技术领域

本发明涉及等离子体蚀刻方法。

背景技术

在制造3D－NAND闪速存储器等三维层叠半导体存储器的过程中，公知有如下方法：通过进行等离子体蚀刻，对氧化硅膜与氮化硅膜的层叠膜进行蚀刻，形成高纵横比的孔(hole)、沟槽(槽)。

在该方法中，在氧化硅膜的蚀刻速度与氮化硅膜的蚀刻速度不同的情况下，在氧化硅膜与氮化硅膜之间的界面产生台阶(扇形缺口)。若如此产生台阶，则例如在随后的工序中形成于孔、沟槽的膜变得容易剥离等，可靠性降低。

因此，以往，通过使用例如NF₃气体与CH₃F气体的混合气体来进行等离子体蚀刻，一边对台阶的产生进行抑制一边对层叠膜进行蚀刻(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015－144158号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述方法中，在层叠膜的蚀刻之际产生的台阶受到抑制，但对在产生了台阶的情况下去除台阶的方法没有公开。因此，在上述方法中，在通过对氧化硅膜与氮化硅膜的层叠膜进行蚀刻进而台阶产生于氧化硅膜与氮化硅膜之间的界面的情况下，蚀刻形状变差。

针对上述课题，在一方面中，本发明的目的在于将在氧化硅膜与氮化硅膜之间的界面产生的台阶去除。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题，根据一技术方案，可提供一种等离子体蚀刻方法，该等离子体蚀刻方法包括：第1工序，在该第1工序中，使用第1高频电源所输出的第1高频电力从含有含氟气体的第1处理气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜与氮化硅膜的层叠膜进行蚀刻；第2工序，其在所述第1工序之后，在该第2工序中，使用所述第1高频电力从含有含溴气体的第2处理气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对所述层叠膜进行蚀刻。

发明的效果

根据一技术方案，能够将在氧化硅膜与氮化硅膜之间的界面产生的台阶去除。

附图说明

图1是表示本实施方式的等离子体蚀刻装置的纵截面的一个例子的图。

图2是说明蚀刻前后的层叠膜的截面形状的图。

图3是对在氧化硅膜与氮化硅膜之间的界面产生的台阶进行说明的图。

图4是表示第1实施方式的等离子体蚀刻方法的一个例子的流程图。

图5是说明第1实施方式的等离子体蚀刻的效果的图。

图6是说明第2实施方式的等离子体蚀刻的效果的图。

附图标记说明