[发明专利]用于分离多个芯片的方法

说明书

技术领域

本公开文本涉及用于分离多个芯片的方法。

背景技术

原始材料，例如半导体晶片，是芯片制造中的一个重要成本因素。提高单位半导体晶片可构成的芯片数目并且减小在分离多个芯片时的材料损耗的方法相应地起到重大的作用。

传统的用于分离多个芯片的方法，例如借助锯片来锯开晶片，由于可达到的方法速度而在很大程度上被使用。然而锯加工可能使芯片受到机械负载并且损坏。芯片或芯片的一部分可能破裂并且由于裂缝的形成而损坏。在另一传统方法中使用激光。这种方法由于能量输入，随之出现相应的温度，同样会导致芯片的损坏。此外在另一传统的分离方法中使用等离子体蚀刻来分离。同样在该情况下，例如在芯片上过长时间地使用等离子体蚀刻时，芯片被损坏。

发明内容

直观地，可在用于分离晶片的芯片的不同实施例中设置为，首先例如在前侧如此应用蚀刻过程，即，形成、例如蚀刻出具有深度的沟道，使得沟道完全穿过“前面的”电介质并且完全穿过晶片区域地延伸，在该区域中在各芯片中构成电子部件(也称为有源区)。随后将锯切应用到晶片的背面，使得构成“背面的”沟道，这些背面的沟道在走向上基本上对应于“前面的”沟道。“背面的”沟道构成具有这样的深度，该深度使“前面的”沟道的底部明显地打开，由此实现芯片的分离。应用到晶片前面的用于构成沟道的过程具有比应用到晶片背面的锯切更高的精确度。由此可能的是，“前面的”沟道非常窄地构型，并且“背面的”锯加工非常快地实施。而且前面的加工(该加工在紧挨着芯片的附近进行)对于待分离的芯片来说比锯切形成明显小的机械负载。而且通过前面的沟道构成过程的高精确度能够实现使分离区域(通常也被称为锯线路)的尺寸减小，由此能够在晶片上构成更多晶片。机械上“施加负载的”锯切基本上在足够远离芯片的区域中实施，使得通过锯切引起的芯片损坏保持很小。

芯片可以具有衬底、设置在衬底中和/或衬底上的有源区(在该有源区中构成有至少一个电子部件)和在有源区上的电介质。用于分离多个芯片的方法可以具有在多个芯片之间构成至少一个第一沟道的步骤，其中，所述至少一个第一沟道穿过电介质和有源区地构成并且延伸到衬底内部。所述方法还可具有从与第一沟道对置的衬底侧来锯开衬底材料的步骤。所述锯加工可沿着与至少一个第一沟道的走向相应的锯切路径来进行，使得构成至少一个第二沟道。所述至少一个第一沟道的宽度可以小于或等于所述至少一个第二沟道的宽度.

多个芯片可构成在共同的衬底中和/或共同的衬底上。相应地，在下面将分离前的多个芯片称为晶片。晶片具有一个第一晶片表面，在该第一晶片表面上构成多个芯片。对置的第二晶片表面也称为晶片的衬底侧。在多个芯片分离前，晶片可具有(连在一起的)衬底，其中，例如在晶片的衬底的共同面上构成有电介质。相应地，例如可以这样来观察晶片：在多个芯片分离前，多个芯片中的每个芯片例如具有晶片的衬底的部分区域并且具有晶片的电介质的部分区域。

芯片的这样的区域被称为有源区：在该区域中构成有一个或多个有源的和/或无源的电部件，其中，有源区并非必然要限定在该一个或多个电部件上。

有源区可延伸到衬底中和/或在衬底的一侧上构成。一个或多个电部件例如可以是集成电路的元件，例如二极管、晶体管和/或例如CMOS技术的构件。

在多个芯片分离前，晶片可以具有(连在一起的)有源区，该有源区可具有多个芯片的多个有源(部分)区。相应地，可以如此理解穿过多个芯片的多个有源区的至少一个沟道的构成：由于多个芯片的分离，各芯片的有源区在它的几何形状上被限定。在多个芯片的多个有源(部分)区上并且在电介质上可以构成一个或多个保护层和/或封装层。

多个芯片可以构成在衬底中和/或在衬底上，例如半导体材料。该衬底例如可具有硅、锗、砷化镓和/或其他半导体材料，该半导体材料可被搀杂。芯片可使用不同的制造过程来构成，例如搀杂、光刻、沉积、金属化和/或蚀刻等过程。在该方法进行期间晶片可以借助一个或多个相应的装置来保持，其中，例如借助夹子和/或借助负压的方式来保持晶片。在多个芯片之间设置有用于芯片分离的晶片区域。