[发明专利]一种等离子体轰击制备金属网络透明导电电极的方法

权利要求书

1.一种低成本等离子体轰击制备金属网络透明导电电极的方法，其特征是包括以下步骤：

(1)衬底涂布光刻胶选择清洁透明衬底，涂布光刻胶，并控制光刻胶的厚度；

(2)光刻胶固定对衬底加热保温后进行紫外曝光处理，将光刻胶固化，形成光刻胶薄膜；

(3)制作龟裂模板配制溶胶状态的龟裂液，将龟裂液设置在固化后的光刻胶薄膜上形成龟裂液薄膜，加热并控制温度和保温时间，使龟裂液薄膜自然龟裂形成龟裂模板；

(4)等离子体成网采用等离子体轰击龟裂模板，去除龟裂模板裂缝中的光刻胶，控制等离子体体轰击时间和温度，在光刻胶薄膜上形成龟裂裂缝网络，用去离子水处理样品表面，去除龟裂模板及裂缝处的光刻胶残余；

(5)纳米金属网络形成将悬浮纳米金属颗粒液体填入龟裂裂缝网络形成纳米金属网络，退火形成稳定线状网络；

(6)去除光刻胶将衬底置于光刻胶清洗液中，去除光刻胶，剩余纳米金属网络；

(7)粘附性处理在纳米金属网络表面喷涂UV胶，风干，调整纳米金属网络的平整度和厚度，随后进行紫外光曝光，形成附着力强的金属网络透明导电电极。

2.根据权利要求1所述的低成本等离子体轰击制备金属网络透明导电电极的方法，其特征是：步骤(1)中所述透明衬底为聚对苯二甲酸乙二醇酯PET或玻璃。

3.根据权利要求1所述的低成本等离子体轰击制备金属网络透明导电电极的方法，其特征是：步骤(1)中所述光刻胶为BN303-60紫外负性光刻胶或SU-8负性光刻胶，并控制光刻胶的厚度为3～20μm。

4.根据权利要求1所述的低成本等离子体轰击制备金属网络透明导电电极的方法，其特征是：步骤(2)中对衬底加热时的温度为20～150℃，时间为1～10min，紫外曝光时间为10～100s，紫外曝光时紫外光的强度为5～1000W。

5.根据权利要求1所述的低成本等离子体轰击制备金属网络透明导电电极的方法，其特征是：步骤(3)中采用旋涂、滴涂或刮涂的方式将龟裂液设置在固化后的光刻胶薄膜上形成龟裂液薄膜。

6.根据权利要求1所述的低成本等离子体轰击制备金属网络透明导电电极的方法，其特征是：步骤(3)中所述龟裂液为二氧化钛溶胶、鸡蛋清溶胶或CA600溶胶，加热温度为20～150℃，保温时间为1～40min。

7.根据权利要求1所述的低成本等离子体轰击制备金属网络透明导电电极的方法，其特征是：步骤(4)中采用等离子体轰击模板时采用的气体是氩气、氧气或氮气，轰击时间为20～60min，温度为20～150℃，功率为100～300W，控制样品距离轰击源高度为5～15cm。

8.根据权利要求1所述的低成本等离子体轰击制备金属网络透明导电电极的方法，其特征是：步骤(5)中采用喷涂或旋涂沉积的方式将悬浮纳米金属颗粒液体填入龟裂裂缝网络形成连续纳米金属网络。

9.根据权利要求1所述的低成本等离子体轰击制备金属网络透明导电电极的方法，其特征是：步骤(5)中所述悬浮纳米金属颗粒液体中纳米金属颗粒的粒径为2～100nm，退火温度为40～250℃，退火时间为2～60min。

10.根据权利要求1所述的低成本等离子体轰击制备金属网络透明导电电极的方法，其特征是：步骤(7)中采用喷涂或浸布的方式，在纳米金属网络表面沉积UV胶，自然风干，并采用热压处理调整纳米金属网络平整度和厚度，形成附着力强的金属网络透明导电电极，紫外光曝光时，曝光强度为5～1000W，曝光时间为10～60s。