[发明专利]一种用于DRAM或eDRAM刷新的装置及其方法

说明书

本发明公开了一种用于DRAM或eDRAM刷新的装置及其方法，DRAM或eDRAM设置有存储单元，该装置包括：存储控制装置、刷新控制装置；所述存储控制装置，用于接收读写请求，并根据所述刷新控制装置的输出决定向存储单元发送读写请求或刷新请求；所述刷新控制装置，用于控制生成刷新信号，并根据所述存储控制装置的输出来记录刷新是否被延迟和读写的行地址。本发明能够减少读写与刷新之间的冲突，达到增加DRAM或者eDRAM性能的效果。

技术领域

本发明涉及刷新技术，特别是涉及一种用于DRAM或eDRAM刷新的装置及其方法。

背景技术

在传统的刷新方式中，在每个刷新周期内都会有段时间用于刷新，如图1所示，在每个刷新周期内，时间轴被分成两个部分，一部分时间用于读写，另一部分时间用于刷新。

现有刷新方式当DRAM在进行刷新时，无法进行读写操作，被称作死区时间，降低了DRAM吞吐量，并且读写的延迟会变得很高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于DRAM或eDRAM刷新的装置及其方法，用于减少刷新和读写之间的冲突问题，达到增加DRAM或者eDRAM性能的效果。

为了实现上述目的，本发明提供一种用于DRAM或eDRAM刷新的装置，DRAM或eDRAM设置有存储单元，该装置包括：存储控制装置、刷新控制装置；

所述存储控制装置，用于接收读写请求，并根据所述刷新控制装置的输出决定向存储单元发送读写请求或刷新请求；

所述刷新控制装置，用于控制生成刷新信号，并根据所述存储控制装置的输出来记录刷新是否被延迟和读写的行地址。

所述的用于DRAM或eDRAM刷新的装置，其中，所述存储控制装置包括：

读缓存，用于缓存从存储单元中读出的数据；

写缓存，用于缓存要写入到存储单元的数据；

控制逻辑单元，用于接收读写请求；

存储控制信号发生器，用于接收所述控制逻辑单元发送的命令，并将该命令译码成存储单元可识别的命令。

所述的用于DRAM或eDRAM刷新的装置，其中，所述刷新控制装置包括：

刷新周期寄存器，用于存储刷新周期；

刷新延迟计数器，用于存储当前刷新被延迟的时间；

刷新周期计数器，用于对每个刷新周期计时；

刷新行数计数器，用于记录当前刷新的行数；

刷新逻辑单元，用于判断寄存器当前的被读写状态，并向所述控制逻辑单元发送刷新的状态；

总行数寄存器，用于存储总的行数；

刷新延迟寄存器，用于存储刷新总的可被延迟的时间；

读写标志寄存器，用于存储在可延迟刷新阶段内读写过的行地址。

所述的用于DRAM或eDRAM刷新的装置，其中，所述刷新逻辑单元当接收到读写请求时，停止刷新，控制所述刷新延迟计数器开始计数，同时在所述读写标志寄存器中记录读写的行地址，并发送当前刷新是否可被打断的信号至所述控制逻辑单元。

所述的用于DRAM或eDRAM刷新的装置，其中，所述刷新逻辑单元在当前刷新未完成，且当所述刷新延迟计数器中的时间等于所述刷新延迟寄存器中的时间时，返回一当前刷新不可被打断的信号至所述控制逻辑单元，控制所述控制逻辑单元继续刷新；或在当前刷新已完成或所述刷新延迟寄存器与所述刷新延迟计数器中的时间差值大于所述总行数寄存器与所述刷新行数计数器中的行数差值与每行刷新时间的乘积时，返回一可被读写的信号至所述控制逻辑单元。