[发明专利]一种用于汞离子微波频标的囚禁射频源

权利要求书

1.一种用于汞离子微波频标的囚禁射频源，其特征在于，

包括振荡器、移相分路模块、第一功放模块、第二功放模块、升压器、第一可调电容、第二可调电容、离子阱；

所述振荡器，用于产生振荡信号；

所述移相分路模块，用于将所述振荡信号分为两路相位相反、频率相同的信号，分别为正相振荡、反相振荡；

所述第一功放模块，用于放大所述正相振荡，产生正相振荡放大信号；

所述第二功放模块，用于放大所述反相振荡，产生反相振荡放大信号；

所述升压器，与所述第一功放模块和所述第二功放模块的输出相连，用于对所述正相振荡和反相振荡进行升压，产生正相振荡升压信号和反相振荡升压信号；

所述正相振荡升压信号输入到所述离子阱的第一电极；反相振荡升压信号输入到所述离子阱的第二电极。

2.如权利要求1所述用于汞离子微波频标的囚禁射频源，其特征在于，所述振荡信号的频率f，满足1MHz≤f≤6MHz。

3.如权利要求1所述用于汞离子微波频标的囚禁射频源，其特征在于，所述正相振荡放大信号的电压v+和反相振荡放大信号的电压v-，满足10V≤v+≤60V，10V≤v-≤60V。

4.如权利要求1所述用于汞离子微波频标的囚禁射频源，其特征在于，所述正相振荡升压信号电压峰峰值u+和反相振荡升压信号电压峰峰值u-，满足1500V≤u+≤3000V，1500V≤u-≤3000V。

5.如权利要求1所述用于汞离子微波频标的囚禁射频源，其特征在于，所述离子阱的容性值范围为20pF～100pF。

6.如权利要求1所述用于汞离子微波频标的囚禁射频源，其特征在于，还包含第一可调电容和第二可调电容；

所述第一可调电容并联在所述离子阱第一电极；

所述第二可调电容并联在所述离子阱第二电极。

7.如权利要求1～5任意一项所述用于汞离子微波频标的囚禁射频源，其特征在于，所述振荡器为数字振荡器。

8.如权利要求6所述用于汞离子微波频标的囚禁射频源，其特征在于，还包含微控制器，用于对所述数字振荡器进行控制。

9.如权利要求7所述用于汞离子微波频标的囚禁射频源，其特征在于，还包含USB接口，所述微控制器通过USB接口与计算机相连接。