[发明专利]用于存储器设备的感测放大器

权利要求书

1.一种操作存储器设备的方法，所述存储器设备包括读取放大器电路，所述读取放大器电路包括核心，所述核心包括第一电源端子和第二电源端子以及具有两个交叉耦合的反相器的存储器元件，所述方法包括：

通过将所述存储器元件的电源节点与所述第一电源端子和所述第二电源端子断开来执行初始阶段，以便使所述存储器元件达到平衡状态；以及

在执行所述初始阶段之后，执行测量阶段以测量差分信号，所述差分信号存在于所述核心的两个输入处并且源于所述存储器设备的两条位线，所述测量阶段包括检测所述核心的所述两个输入处存在的信号的斜率之间的差，以及将所述差分信号经由两个转移电容器传送至所述反相器的两个电源节点并且破坏所述平衡状态，同时保持所述存储器元件的电源节点与所述第一电源端子和所述第二电源端子断开。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述初始阶段包括：

在将所述存储器元件的电源节点与所述第一电源端子和所述第二电源端子断开之前，经由所述第一电源端子和所述第二电源端子对电容网络充电，所述电容网络耦合至所述反相器的电源节点并且包括所述两个转移电容器；以及

将输入节点连接至所述反相器的输出节点，同时将所述存储器元件的电源节点与所述第一电源端子和所述第二电源端子断开。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述反相器的电源节点是所述反相器的NMOS晶体管的源极和所述反相器的PMOS晶体管的源极，并且在所述测量阶段中，所述差分信号被传送至所述反相器的NMOS晶体管的源极。

4.根据权利要求3所述的方法，其中将所述存储器元件的电源节点与所述第一电源端子和所述第二电源端子断开包括：将所述NMOS晶体管的源极与所述第一电源端子断开，然后将所述PMOS晶体管的源极与所述第二电源端子断开。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述测量阶段包括：将所述输入节点与所述反相器的输出节点断开。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述测量阶段之后，通过将所述存储器元件的电源节点重新连接至所述第一电源端子和所述第二电源端子来锁存所述存储器元件中所读取的数据项。

7.一种用于存储器设备的读取放大器电路，包括：

核心，包括第一输入和第二输入，所述第一输入和所述第二输入被配置为在测量阶段中接收源于所述存储器设备的第一位线和第二位线的差分信号；以及

存储器元件，具有以交叉方式耦合的第一反相器和第二反相器，所述第一输入和所述第二输入分别经由第一转移电容器和第二转移电容器连接至所述第一反相器和所述第二反相器的两个电源节点，所述存储器元件还包括第一可控电路，所述第一可控电路被配置为在所述测量阶段之前的初始阶段期间以及在所述测量阶段期间临时地使所述存储器元件浮置。

8.根据权利要求7所述的读取放大器电路，包括第一电源端子和第二电源端子，被配置为分别接收第一低电源和第二高电源，其中所述第一可控电路包括第一组可控开关，所述第一组可控开关被配置为将所述第一反相器和所述第二反相器的所有电源节点与所述第一电源端子和所述第二电源端子断开。

9.根据权利要求8所述的读取放大器电路，其中所述第一反相器和所述第二反相器的电源节点是所述第一反相器和所述第二反相器的NMOS晶体管的源极以及所述第一反相器和所述第二反相器的PMOS晶体管的源极，并且其中所述第一转移电容器和所述第二转移电容器分别耦合在所述第一输入和所述第二输入与所述第一反相器和所述第二反相器的NMOS晶体管的源极之间。

10.根据权利要求9所述的读取放大器电路，其中所述第一组可控开关被配置为：在所述测量阶段之后，将所述第一反相器和所述第二反相器的所有电源节点重新连接至所述第一电源端子和所述第二电源端子。