[发明专利]一种在硅基底上制备横向圆形微同轴金属结构的方法

权利要求书

1.一种在硅基底上制备横向圆形微同轴金属结构的方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：首先在硅基底上制备金属种子层，在硅基底上涂覆一层30nm厚的PDMS薄膜做释放层，在PDMS薄膜上真空溅射一层厚度约为30nm的金属层，在金属层上涂覆一层厚度约为50nm的RZJ-304正光刻胶，将涂覆RZJ-304正性光刻胶的硅基片置于刻有图案1、玻璃材质、厚度为3mm的镀铬1号掩膜版下，使用波长约为365纳米的紫外光曝光；将硅基片浸没在TMAH显影液中显影并去除曝光时遮光的正光刻胶，获得所需金属种子层；其次制备内导体的SU-8胶膜支撑体，即在金属种子层上涂覆一层500um厚的SU-8负性光刻胶，将涂覆SU-8负性光刻胶的硅基片在2号掩膜版下用紫外光进行曝光并对其显影，获得同轴微结构的SU-8胶膜支撑体；然后制备微同轴的金属内外导体的胶膜结构，在基片上涂覆一层500um厚的KMPR负性光刻胶，在3号掩膜版下用紫外光进行曝光，将曝光后的胶膜基片在显影液内显影获得微同轴金属内外导体的胶膜结构；然后对胶膜结构进行微电铸，铸层为500um，获得带胶膜的金属微结构，去除微结构内的KMPR胶膜，即获得纵向的金属微同轴结构；最后将微同轴金属结构在无尘手套箱内从硅基片上分离，将纵向金属微同轴结构横向键合到硅基片上，即获得横向圆形微同轴金属结构。

2.根据权利要求1所述的在硅基底上制备横向圆形微同轴金属结构的方法，其特征在于，在包含金属种子层的硅基片上涂覆500um厚的SU-8负性光刻胶，将涂覆负光刻胶的硅基片置于镀铬2号掩膜版下，镀铬掩膜版上为刻有支撑体图案并且厚度为3mm的玻璃材质，使用波长约为365nm的紫外光曝光，将基片置于SU-8专用显影液内显影获得SU-8支撑体。

3.根据权利要求1所述的在硅基底上制备横向圆形微同轴金属结构的方法，其特征在于，首先在硅基片上涂覆了一层PDMS薄膜作为释放层，纵向微同轴金属结构制备完成，即可在无尘手套箱内将纵向微同轴金属结构揭下来。

4.根据权利要求1所述的在硅基底上制备横向圆形微同轴金属结构的方法，其特征在于，将揭下的纵向微同轴金属结构通过键合技术横向键合在硅基片上，即可获得横向圆形微同轴金属结构。