[发明专利]一种高导电石墨烯/铜基层状复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高导电石墨烯/铜基层状复合材料，其特征在于：所述复合材料包括板状铜基底以及石墨烯，所述石墨烯与铜基底交替复合构成层状结构，层内厚度方向铜基底为单晶态，且表现为高度取向(111)晶面，层内水平方向铜基底为单晶或多晶态。

2.根据权利要求1所述的高导电石墨烯/铜基层状复合材料，其特征在于：所述板状铜基底上下表面均匀沉积石墨烯，并诱导铜基底沿(111)择优取向，得到三明治状的石墨烯包覆铜基底。

3.根据权利要求2所述的高导电石墨烯/铜基层状复合材料，其特征在于，所述的三明治状的石墨烯包覆铜基底中，铜基底为箔材或板材，层厚为1μm～500μm，铜基底的纯度≥99％。

4.根据权利要求2所述的高导电石墨烯/铜基层状复合材料，其特征在于，所述的三明治状的石墨烯包覆铜基底中，石墨烯的层数为1～10层。

5.根据权利要求1-4任一项所述的高导电石墨烯/铜基层状复合材料，其特征在于，所述铜基底的片数为2片以上。

6.一种权利要求1-5任一项所述的高导电石墨烯/铜基层状复合材料的制备方法，其特征在于：

首先利用化学气相沉积技术，在板状铜基底上下表面均匀沉积石墨烯，并诱导铜基底沿(111)择优取向，得到三明治状的石墨烯包覆铜基底；

再将多片石墨烯包覆铜基底经热压烧结致密化，得到高导电石墨烯/铜基层状复合材料。

7.根据权利要求6所述的高导电石墨烯/铜基层状复合材料的制备方法，其特征在于，所述的三明治状的石墨烯包覆铜基底中，晶粒在铜基底厚度方向为单晶态，在面内水平方向为单晶或多晶态。

8.根据权利要求6所述的高导电石墨烯/铜基层状复合材料的制备方法，其特征在于，在制备所述三明治状的石墨烯包覆铜基底过程中，石墨烯生长所需的碳源种类为气态或固态，所生长石墨烯的层数为1～10层。

9.根据权利要求6-8任一项所述的高导电石墨烯/铜基层状复合材料的制备方法，其特征在于，所述在层状复合材料致密化过程中，所述石墨烯包覆铜基底的片数为2片或以上。

10.根据权利要求1所述的高导电石墨烯/铜基层状复合材料的制备方法，其特征在于，所述的热压烧结致密化为真空或者气体保护下热压烧结、放电等离子体烧结、微波烧结中的一种，烧结温度范围为700～1000℃，压力范围为10～200MPa。