[发明专利]一种基于前层图形判别的离子注入层边界的光学临近修正方法

说明书

本发明提供了一种基于前层图形判别的离子注入层边界的OPC修正方法，对落在浅沟槽隔离区上的离子注入层边界进行优化修正，满足生产所需的精度要求。通过将离子注入层边界移动到冗余填充图形上或者向器件图形靠拢的操作，消除了来自多晶硅及底部衬底反射的影响，并且由于浅沟槽隔离区上的离子注入是无效的，所以本发明仍然满足设计规则要求，同时又有效地降低了离子注入层光刻胶脱落的风险，提高了产品的良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种基于前层图形判别的离子注入层边界的光学临近修正方法。

背景技术

随着半导体工艺的不断发展，技术节点的不断减小，离子注入层图形的特征尺寸及与前层的对准精度要求越来越高。在曝光过程中，由于前层衬底形貌起伏的影响，来自硅片衬底和前层多晶硅的反射光也会对光刻胶层曝光，从而造成打开的光刻胶区域即离子注入层的图案与设计的图案有偏差，以致对准精度下降，甚至造成光刻胶与衬底结合不牢而脱落。

光学临近修正(OPC)是解决上述问题常用的手段之一，设计者为了增加曝光图案的真实性,利用一系列复杂的计算机算法，对掩蔽层上的离子注入层边界进行光学临近修正，即对掩蔽层上面的离子注入层边界进行选择性补偿，将上述反射光产生的光学效应尽可能补偿掉，就可以在实际光刻中得到真正想要的图形。

现有的光学临近修正方法是通过对大量的测试图形进行测试并收集数据建立数据库，再根据数据反馈情况从数据库中选择最接近的情况补偿离子注入层边界的修正，该方法必须进行大量的实验来得到足够多的数据库数据，因此成本较高，并且不能完全涵盖所有的可能，尤其对于来自硅片衬底和前层多晶硅的反射光的影响数据不全，导致光学临近修正的结果不精确，无法满足小尺寸版图设计时对线宽精度控制的要求。

发明内容

为了克服现有技术存在的上述缺陷，本发明提供一种基于前层图形判别的离子注入层边界的OPC修正方法，降低了离子注入层光刻胶脱落的风险，提高了产品的良率。

为了实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种基于前层图形判别的离子注入层边界的光学邻近修正方法，包括以下步骤：

步骤S01：根据离子注入层版图图形，选定离子注入层落在浅沟槽隔离区内的边界；

步骤S02：在所述离子注入层的区域中，找到最接近所述边界的前层图形；

步骤S03：判定所述前层图形的种类，所述前层图形的种类包括冗余填充图形和非冗余填充图形两类，若所述前层图形为冗余填充图形，则将所述边界移动到所述冗余填充图形上，以对所述边界进行基于模型的OPC修正；若所述前层图形为非冗余填充图形，则执行步骤S04；

步骤S04：若所述的前层图形为非冗余填充图形，则将所述边界向所述非冗余填充图形靠拢，且与非冗余填充图形的最小距离不违反预设值，以对所述边界进行基于模型的OPC修正。

进一步的，步骤S03中，将所述边界移动至所述冗余填充图形的中间，所述边界与所述冗余填充图形的中心线的距离不大于5nm。

进一步的，步骤S04中，所述预设值为30nm—100nm。

进一步的，所述的冗余填充图形为有源区和多晶硅集合。

进一步的，所述的非冗余填充图形为有源区和多晶硅构成的器件图形。

本发明提供的基于前层图形判别的离子注入层边界的OPC修正方法，可以对落在浅沟槽隔离区上的离子注入层边界进行优化修正，满足生产所需的精度要求。通过将离子注入层边界移动到冗余填充图形上或者向器件图形靠拢的操作，消除了来自多晶硅及底部衬底反射的影响，并且由于浅沟槽隔离区上的离子注入是无效的，所以本发明仍然满足设计规则要求，同时又有效地降低了离子注入层光刻胶脱落的风险，提高了产品的良率。

附图说明