[发明专利]半导体器件

说明书

提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案的同时暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极沿第二方向隔离开，并包括第一材料；层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，填充鳍型图案的侧表面并包括不同于第一材料的第二材料。

本申请要求于2015年12月7日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0173134号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思的一些实施例涉及一种半导体器件。

背景技术

已经提出了多栅极晶体管作为小型化技术之一以提高半导体器件的密度。在多栅极晶体管中，鳍状或纳米线状的硅体形成在基底上，栅极形成在硅体的表面上。

这样的多栅极晶体管由于使用三维沟道而使得易于小型化。此外，可以在不需要增加多栅极晶体管的栅极长度的情况下增强多栅极晶体管的电流控制能力。此外，利用多栅极晶体管有效地抑制沟道区的电位受漏极电压影响的现象的短沟道效应(SCE)。

发明内容

根据本发明构思的一些实施例，提供了一种利用隔离膜切割栅电极得到增强的性能的半导体器件。

根据本发明构思的一方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案的同时暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极沿第二方向隔离开并包括第一材料；层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，填充鳍型图案的侧表面并包括不同于第一材料的第二材料。

在一些实施例中，所述半导体器件还包括：第二沟槽，在鳍型图案和第一栅极隔离膜之间；第三栅极隔离膜，在第二沟槽中。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一栅电极，沿第一方向延伸；第一栅极隔离膜，将第一栅电极隔离开并沿与第一方向相交的第二方向延伸；第二栅极隔离膜，将第一栅电极隔离开，沿第二方向延伸，并沿第一方向与第一栅极隔离膜分隔开；第一有源区，形成在第一栅极隔离膜和第二栅极隔离膜之间；第三栅极隔离膜，形成在第一有源区和第一栅极隔离膜之间，其中，在第一栅极隔离膜和第三栅极隔离膜之间不形成有源区。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，沿第一方向平行于彼此延伸，并沿与第一方向相交的第二方向彼此分隔开；第一栅极隔离膜，沿第二方向延伸，将第一栅电极沿第一方向隔离开，并将第二栅电极沿第一方向隔离开；第二栅极隔离膜，沿第二方向延伸，将第一栅电极沿第一方向隔离开，将第二栅电极沿第一方向隔离开，并沿第一方向与第一栅极隔离膜分隔开；第三栅极隔离膜，沿第二方向延伸，将第一栅电极沿第一方向隔离开，且形成在第一栅极隔离膜与第二栅极隔离膜之间；第四栅极隔离膜，沿第二方向延伸，将第二栅电极沿第一方向隔离开，形成在第一栅极隔离膜与第二栅极隔离膜之间，并与第三栅极隔离膜分隔开。

在一些实施例中，所述半导体器件还包括：第三栅电极，与第一栅电极和第二栅电极平行地沿第一方向延伸，并沿第二方向与第一栅电极和第二栅电极分隔开；第五栅极隔离膜，沿第二方向延伸，将第三栅电极沿第一方向隔离开，并形成在第一栅极隔离膜与第二栅极隔离膜之间。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一栅电极，沿第一方向延伸；第一层间绝缘膜，围绕第一栅电极的侧表面；第一沟槽，将第一栅电极和第一层间绝缘膜隔离开，并沿与第一方向相交的第二方向延伸；第一隔离膜，填充第一沟槽；第二沟槽，将第一栅电极和第一层间绝缘膜隔离开，沿第二方向延伸，并沿第一方向与第一沟槽分隔开；第二隔离膜，填充第二沟槽；第一有源区，形成在第一栅极隔离膜和第二栅极隔离膜之间；第三沟槽，形成在第一栅极隔离膜和第二栅极隔离膜之间，并沿第二方向延伸；第三隔离膜，填充第三沟槽。