[发明专利]支持各种操作模式的图像传感器有效

专利信息
申请号: 201611087864.7 申请日: 2016-11-30
公开(公告)号: CN106851142B 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 黄敏智;金孝相;薛亥植;林承贤 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369;H04N5/378
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 王兆赓;张川绪
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 支持 各种 操作 模式 图像传感器
【说明书】:

公开一种支持各种操作模式的图像传感器。所述图像传感器包括:有源像素传感器阵列,包括沿列方向顺序布置的第一像素单元至第四像素单元,其中,第一像素单元至第四像素单元中的每个像素单元包括多个像素。包括第一像素单元和第二像素单元的第一像素组被连接到第一列线,包括第三像素单元和第四像素单元的第二像素组被连接到第二列线。所述图像传感器包括:相关双采样电路,包括第一相关双采样器和第二相关双采样器,被配置为将从第一像素组的选择的像素感测的第一感测电压和从第二像素组的选择的像素感测的第二感测电压分别转换成第一相关双采样信号和第二相关双采样信号。

要求于2015年12月3日提交到韩国知识产权局的第10-2015-0171656号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

这里描述的发明构思涉及一种图像传感器,更加具体地说,涉及一种能提高模拟数字转换器(ADC)的性能的支持各种操作模式的图像传感器。

背景技术

移动装置(诸如,智能电话、平板个人电脑(PC)、数码相机、MP3播放器或电子书阅读器)的使用持续增加。为了拍摄图像,在大多数移动装置上安装至少一个图像传感器。例如,可将图像传感器实现为电荷耦合器件(CCD)图像传感器或互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。

与CMOS图像传感器相比,CCD图像传感器具有低噪声和优异的图像质量。然而,CMOS图像传感器提供简单和多样的扫描和操作。此外,信号处理电路可与CMOS图像传感器集成在单个芯片中,因而使产品的小型化成为可能。并且,因为CMOS图像传感器与CMOS处理技术兼容,所以产品的单位成本被降低。由于低功耗,所以CMOS图像传感器容易应用到移动装置。

随着构成图像传感器的像素的分辨率增加以及随着图像传感器小型化,多个传输晶体管共享相同的浮动扩散(FD)区域的共享类型的像素阵列被广泛使用。在使用共享类型的像素阵列的图像传感器的情况下,一个模拟数字转换器通常处理从连接到一列的像素输出的感测电压。然而,由于共享浮动扩散区域的结构特征,所以在处理图像时不使用所有的模拟数字转换器,这降低了图像传感器的操作速度。因此,提高使用多个传输晶体管共享相同的浮动扩散区域的共享类型的像素阵列的图像传感器的操作速度非常重要。

发明内容

与发明构思的原理一致的示例实施例提供一种通过对包括在图像传感器中的像素和连接到所述像素的列线进行有效布置在保持图像传感器的操作速度的同时提高模拟数字转换器的操作速度的方法。

根据与发明构思的原理一致的示例实施例,一种图像传感器包括:有源像素传感器阵列,包括沿列方向顺序布置的第一像素单元至第四像素单元,其中,第一像素单元至第四像素单元中的每个像素单元包括多个像素,并且包括第一像素单元和第二像素单元的第一像素组被连接到第一列线,包括第三像素单元和第四像素单元的第二像素组被连接到第二列线;相关双采样电路,包括第一相关双采样器和第二相关双采样器,并被配置为将从第一像素组的选择的像素感测的第一感测电压和从第二像素组的选择的像素感测的第二感测电压分别转换成第一相关双采样信号和第二相关双采样信号。第一感测电压被第一相关双采样器和第二相关双采样器中的一个相关双采样器转换成第一相关双采样信号,而第二感测电压被第一相关双采样器和第二相关双采样器中的另一相关双采样器转换成第二相关双采样信号。

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