[发明专利]摄像装置以及摄像系统

权利要求书

1.一种摄像装置，所述摄像装置包括：

基板，其包括多个像素电路；

设置在所述基板上的第一电极、第二电极、第三电极和第四电极；以及

半导体层，其设置在所述基板上，并且包括设置在所述第一电极与所述第二电极之间的第一部分以及设置在所述第三电极与所述第四电极之间的第二部分，

其中，所述多个像素电路中的各个像素电路包括输出基于在所述半导体层中生成的电荷的信号的放大晶体管，并且

其中，在所述半导体层中生成的电荷在与所述基板的表面平行的第一方向上从所述第一部分被输送到所述第二部分。

2.根据权利要求1所述的摄像装置，所述摄像装置还包括：

绝缘层，其设置在所述半导体层中的所述第一部分与所述第二电极之间。

3.根据权利要求2所述的摄像装置，所述摄像装置还包括：

电荷约束层，其设置在所述半导体层与所述绝缘层之间。

4.根据权利要求3所述的摄像装置，其中，所述电荷约束层延伸到设置在所述半导体层中的所述第二部分与所述第四电极之间的区域。

5.根据权利要求4所述的摄像装置，其中，所述电荷约束层被设置为与所述第四电极接触。

6.根据权利要求3所述的摄像装置，其中，所述电荷约束层中的电荷的迁移率大于所述半导体层中的电荷的迁移率。

7.根据权利要求6所述的摄像装置，其中，所述电荷约束层中的电荷的迁移率大于或等于1cm²/Vs。

8.根据权利要求7所述的摄像装置，其中，所述半导体层中的电荷的迁移率小于1cm²/Vs。

9.根据权利要求8所述的摄像装置，其中，所述电荷约束层包括从由以下构成的组中选择的至少一者：石墨烯片、包括HgSe的量子点的层、包括HgTe的量子点的层、以及包括CdSe的量子点的层。

10.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，所述半导体层的所述第二部分被设置为与所述第四电极接触。

11.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述第二电极电连接到所述放大晶体管。

12.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述第四电极电连接到所述放大晶体管。

13.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述第一电极和所述第三电极彼此分离。

14.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述第一电极和所述第三电极形成在连续的导电层中。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的摄像装置，其中，所述第四电极在与所述基板的表面平行的平面中围绕所述第二电极。

16.根据权利要求1至14中任一项所述的摄像装置，

其中，所述半导体层包括设置在所述第一部分与所述第二部分之间的输送区域，并且

其中，设置输送电极以控制所述输送区域的电位。

17.根据权利要求16所述的摄像装置，其中，所述第二电极的至少一部分和所述输送电极的至少一部分被设置在，在与所述基板的表面垂直的第二方向上距所述基板具有不同距离的位置处。

18.根据权利要求1至14中任一项所述的摄像装置，其中，所述第二电极的至少一部分和所述第四电极的至少一部分被设置在，在与所述基板的表面垂直的第二方向上距所述基板具有不同距离的位置处。

19.一种摄像系统，所述摄像系统包括：

根据权利要求1至18中任一项所述的摄像装置；以及

信号处理器，其被构造为处理从所述摄像装置输出的信号。