[发明专利]一种冗余金属的填充方法及装置

说明书

本发明提供的一种冗余金属的填充方法及装置，通过获取金属线区域集合，及产生CMP缺陷时，金属线区域之间的间距阈值d，根据该阈值，提取出CMP工艺后易产生缺陷的第一待填充矩形区域集合，将易产生缺陷的区域外扩设定长度，得到不连续且无一定规律排布的第一待填充矩形网格集合，计算第一待填充矩形网格集合内每个第一待填充矩形网格内部金属线的密度D_ij，依据密度D_ij，对第一待填充矩形网格集合内的每个第一待填充矩形网格相对应的第一待填充区域进行冗余金属的实际填充。本方案通过金属线区域确定出CMP工艺后易产生缺陷的区域集合，直接针对易产生缺陷的区域入手，而非针对包含易产生缺陷区域的网格入手，进而避免了现有技术中缺陷漏报的问题。

技术领域

本发明涉及芯片的可制造性设计技术领域，更具体地说，涉及一种冗余金属的填充方法及装置。

背景技术

现有生活中，各种各样的电子产品目前已广泛的应用于人们的日常生活，工作，工业等领域中。随着科学技术的高速发展，人们对电子产品的要求也越来越高。

电子产品中芯片属于必不可少的一部分，随着芯片的制造工艺进入深亚微米级工艺节点，芯片表面平整加工问题对产品良率的影响日益严重，而化学机械研磨(ChemicalMechanical Polishing简称CMP)工艺的可制造性设计技术(Design For Manufacture简称DFM)被认为是解决该问题的重要手段，一直是全球EDA业界关注的焦点。

但是，化学机械研磨技术会对芯片带来两种全新的不平坦性缺陷：蝶形缺陷和侵蚀缺陷，我们定义蝶形缺陷和侵蚀缺陷为CMP缺陷。

现有技术中，针对CMP缺陷通常采用冗余金属填充技术来解决该缺陷问题。冗余金属填充技术是通过在可能产生CMP缺陷处填充冗余金属使芯片版图密度均匀化，从而减少CMP缺陷的产生。

但是，现有的冗余金属填充技术主要基于位置相对固定的网格进行填充，从而忽略了附近结构对CMP缺陷产生的影响，往往会出现漏报缺陷的问题，严重时甚至会导致芯片的流片失败、或产品的良率下降等问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种冗余金属的填充方法及装置，弥补了现有技术的问题，减少了CMP缺陷的漏报概率，提高了芯片的成品率。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种冗余金属的填充方法，所述填充方法包括：

获取芯片待研磨金属层的物理版图上的金属线区域集合，及产生CMP缺陷时，所述金属线区域集合内的金属线区域之间的间距阈值d；

依据所述间距阈值d，获取所述物理版图上的第一待填充矩形区域集合；

将所述第一待填充矩形区域集合内的每个第一待填充矩形区域边界外扩设定长度，获得第一待填充矩形网格集合；所述设定长度为所述第一待填充矩形区域与所述金属线区域之间的影响距离；

计算所述第一待填充矩形网格集合内每个第一待填充矩形网格内部金属线的密度D_ij；

依据所述密度D_ij，对所述第一待填充矩形网格集合内的每个第一待填充矩形网格相对应的第一待填充区域进行冗余金属的实际填充。

优选的，在上述填充方法中，所述获取芯片待研磨金属层的物理版图上的金属线区域集合，及产生CMP缺陷时，所述金属线区域集合内的金属线区域之间的间距阈值d，包括：

提供芯片待研磨金属层的物理版图数据；并根据所述芯片的工艺值，设置所述物理版图的网格化图形特征参数的初始值Lw₀₀和Ls₀₀，并根据公式(1)和公式(2)，依次计算出图形特征参数的步进值；