[发明专利]电阻转换存储器元件及其制造方法

权利要求书

1.一种电阻转换存储器元件，包括：

一绝缘层具有一上表面；

一底电极，埋置于该绝缘层中，该底电极的一上部突出于该绝缘层的该上表面且该上部的边缘具有圆滑转角；

一导电势垒，形成于该绝缘层与该底电极之间，以隔开该绝缘层与该底电极；

一电阻转换层，设置于该底电极上；和

一顶电极，形成于该电阻转换层上并覆盖该电阻转换层；

其中，该导电势垒包括：

第一势垒层，具有一第一势垒厚度，形成于该绝缘层与该底电极的一下部之间；

第二势垒层，形成于该第一势垒层上且具有一第二势垒厚度，该第二势垒厚度小于该第一势垒厚度；

其中，该第二势垒层设置于该底电极的该上部与该绝缘层之间，且该第二势垒层位于该绝缘层的该上表面的下方。

2.根据权利要求1所述的电阻转换存储器元件，更包括间隙壁形成于该绝缘层上且位于该底电极的该上部的侧壁处。

3.根据权利要求1所述的电阻转换存储器元件，其中该电阻转换层系为一双层结构。

4.根据权利要求1所述的电阻转换存储器元件，其中该底电极包括一下部填满该绝缘层的一孔洞以及前述上部突出于该绝缘层的该上表面。

5.根据权利要求1所述的电阻转换存储器元件，更包括一氧离子贮藏层位于该顶电极和该电阻转换层之间。

6.一种电阻转换存储器元件的制造方法，包括：

提供具有一孔洞的一绝缘层；

形成一底电极填满该绝缘层的该孔洞，其中该底电极的一上部突出于该绝缘层之上，且该上部的边缘具有圆滑转角；该绝缘层与该底电极之间还形成有用以隔开该绝缘层与该底电极的一导电势垒；

设置一电阻转换层于该底电极上；和

形成一顶电极于该电阻转换层上并覆盖该电阻转换层；

其中，该导电势垒包括：

第一势垒层，具有一第一势垒厚度，形成于该绝缘层与该底电极的一下部之间；

第二势垒层，形成于该第一势垒层上且具有一第二势垒厚度，该第二势垒厚度小于该第一势垒厚度；

其中，该第二势垒层设置于该底电极的该上部与该绝缘层之间，且该第二势垒层位于该绝缘层的上表面的下方。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中系以一氧化抛光工艺将该绝缘层分地移除，以形成具有一平滑上表面的该底电极。

8.根据权利要求6所述的制造方法，更包括：

形成一氧化层于该绝缘层和该底电极上；和

对该氧化层非等向性地进行一氧等离子体蚀刻工艺，

其中在该氧等离子体蚀刻工艺后，系形成间隙壁于围绕该底电极的该上部的侧壁处，且同时产生具有一自对准结构的该电阻转换层。