[发明专利]有机电致发光器件、传输层材料、掺杂方法及制备方法在审
申请号: | 201611090306.6 | 申请日: | 2016-12-01 |
公开(公告)号: | CN106784396A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 杨帆 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 | 代理人: | 王永文,刘文求 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 传输 材料 掺杂 方法 制备 | ||
技术领域
本发明涉及发光材料领域,尤其涉及有机电致发光器件、传输层材料、掺杂方法及制备方法。
背景技术
近些年有机电致发光器件(Organic Light Emitting Devices,OLED)作为新一代显示器件,受到研究人员的广泛关注。有机电致发光器件与液晶显示器件(LCD)相比,具有亮度高、主动发光、视角宽、响应速度快等特点,是平板显示领域的后起之秀,呈现出良好的发展和应用前景。
目前,大部分高效率OLED器件以及商业化量产的OLED器件都是采用了掺杂的技术。掺杂是将一定量的客体材料(也称掺杂材料)混入主体材料中,通过能量传递或者电荷转移来获得更高器件性能的技术。掺杂是在OLED中被广泛应用的一种技术,其将客体材料掺杂在适当的发光层主体材料中,可使电致发光的效率得到大幅提升。而掺杂技术不仅广泛应用于发光层中,传输层中的p-i-n掺杂在近十年来也得到了深入的研究。例如将p型或n型掺杂剂分别掺杂在对应的空穴或电子传输层的主体材料中,可以显著提高载流子的注入与传输特性,改善器件的功率效率。
通常,在应用掺杂技术的传输层中,为了提高载流子注入与传输,所使用的材料都是均匀掺杂的,如图1所示,在随厚度变化过程中,掺杂率一直保持不变,例如在传输层中采用均匀p或n型掺杂,虽然这一方法已经被证明可以得到很好的器件性能,但仍然存在诸多问题。例如当均匀掺杂的传输层厚度超过2nm时电子注入效率反而会下降。这是因为均匀掺杂技术中,注入能垒较大,阻碍了载流子注入和传输,如图2所示,其中EF表示费米能级。
总的来说,目前的掺杂方式其稳定性不高,器件性能如电流特性和效率等方面还有待提高。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供有机电致发光器件、传输层材料、掺杂方法及制备方法,旨在解决现有的掺杂方式稳定性不高、器件性能有待提高的问题。
本发明的技术方案如下:
一种有机电致发光器件传输层材料的掺杂方法,其中,包括步骤:
将传输层的主体材料以及掺杂材料置于腔体中,并将带电极的基板置于所述腔体中;
将传输层的主体材料以及掺杂材料制作于基板之上,并且设置掺杂材料的掺杂浓度从靠近基板处至远离基板处以非线性变化的方式逐渐减小,完成非线性掺杂。
所述的有机电致发光器件传输层材料的掺杂方法,其中,采用移动蒸镀方式来实现非线性掺杂。
所述的有机电致发光器件传输层材料的掺杂方法,其中,在移动蒸镀过程中,控制所述基板在不同材料的蒸发源之间移动,完成非线性掺杂。
所述的有机电致发光器件传输层材料的掺杂方法,其中,采用有机气相沉积的方式将不同材料沉积于基板上,完成非线性掺杂。
所述的有机电致发光器件传输层材料的掺杂方法,其中,向腔体中通入惰性气体,并且流经盛装有不同材料的坩埚,通过所述惰性气体附带起相应坩埚中的材料,进而使各材料传送至基板处沉积,在沉积过程中,通过调节惰性气体流速控制各材料的掺杂浓度。
一种有机电致发光器件传输层材料,其中,采用如上任一项所述的掺杂方法制得。
一种有机电致发光器件的制备方法,其中,包括步骤:
先对基板进行清洗;
将器件各层材料和基板放置在腔体中;其中,器件的传输层包括主体材料以及掺杂材料;
将传输层的主体材料以及掺杂材料制作于基板之上,并且设置掺杂材料的掺杂浓度从靠近基板处至远离基板处以非线性变化的方式逐渐减小,完成非线性掺杂;
将器件其余各层材料制作于基板之上。
所述的有机电致发光器件的制备方法,其中,采用移动蒸镀方式来实现非线性掺杂。
所述的有机电致发光器件的制备方法,其中,采用有机气相沉积的方式将不同材料沉积于基板上,完成非线性掺杂。
一种有机电致发光器件,其中,采用如上任一项所述的制备方法制成。
有益效果:本发明的非线性掺杂技术,大大提高了材料利用率,提高了器件电流特性、功率效率和器件工作稳定性,具有较高的可行性和应用前景,从而使其在光电器件中的应用更广泛。
附图说明
图1为现有技术中均匀掺杂的掺杂浓度示意图。
图2为现有技术中均匀掺杂的传输层的注入能垒示意图。
图3为本发明中非线性掺杂的掺杂浓度示意图。
图4为本发明中非线性掺杂的传输层的注入能垒示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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