[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于：该晶体管包括n型GaAs衬底(1)、厚度为150nm的GaAs外延层(2)、厚度为600nm的AlGaSb缓冲层(3)、厚度为70nm的下层AlSb势垒层(4)、厚度为12nm的InAs沟道层(5)、厚度为5nm的上层AlSb势垒层(6)、厚度为6nm的InAlAs空穴阻挡层(7)、厚度为4nm的InAs帽层(8)、HfO2栅介质层(9)以及金属层(10)，所述高电子迁移率晶体管的结构自下至上排列依次是n型GaAs衬底(1)、厚度为150nm的GaAs外延层(2)、厚度为600nm的AlGaSb缓冲层(3)、厚度为70nm的下层AlSb势垒层(4)、厚度为12nm的InAs沟道层(5)、厚度为5nm的上层AlSb势垒层(6)、厚度为6nm的InAlAs空穴阻挡层(7)、厚度为4nm的InAs帽层(8)、HfO₂栅介质层(9)、金属层(10)。

2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述金属层(10)为Ti、Pt、Au三层结构，从下至上依次是厚度为20nm的Ti、厚度为20nm的Pt、厚度为200nmAu。

3.根据权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：金属层(10)与InAs帽层(9)的接触为欧姆接触。

4.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：AlGaSb缓冲层(3)中Al、Ga、Sb的组分比为Al：Ga：Sb＝7：3：10。

5.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：在下层AlSb势垒层中还掺杂有Si，其浓度为0.5-2×10¹⁸cm^-3。

6.根据权利要求5所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：在InAs沟道层(5)中还掺杂有Si其浓度为1-5×10¹⁷cm^-3。

7.根据权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：在InAs帽层中还掺杂有Si，掺杂浓度为0.5-2×10¹⁹cm^-3。