[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管在审
| 申请号： | 201611090866.1 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106783946A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 陆江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 | ||
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
位于衬底的栅极、发射极和集电极；其中，所述集电极和所述发射极分别位于所述衬底的两端；所述栅极包括窄部和展宽部，所述展宽部位于所述栅极靠近所述集电极一侧；
超结结构，位于所述衬底上靠近所述集电极一侧，以在所述晶体管关断时，通过所述超结结构耗尽堆积在所述集电极侧的过剩载流子。
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述超结结构连接所述集电极和所述展宽部。
3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述超结结构为交替设置的多根P型立柱和多根N型立柱；其中，每相邻两根P型立柱之间的区域为一根N型立柱。
4.如权利要求3所述的晶体管，其特征在于，所述P型立柱的掺杂浓度等于所述N型立柱的掺杂浓度。
5.如权利要求3所述的晶体管，其特征在于，所述P型立柱的宽度等于所述N型立柱的宽度。
6.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于：
所述衬底的一端设置有第一阱区和位于所述第一阱区表面的第二阱区；所述第二阱区为发射极区；
所述衬底的另一端设置有集电极区；所述集电极区与所述第一阱区的掺杂类型均为第一掺杂类型；所述第二阱区的掺杂类型为与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型。
7.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型为P型；或者，所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型为N型。
8.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述第二阱区表面有发射极接触；所述集电极区表面有集电极接触。
9.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述展宽部位于所述第一阱区和所述超结结构之间。
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