[发明专利]直流-直流转换电路的封装结构在审

申请号：	201611092345.X	申请日：	2016-11-30
公开（公告）号：	CN108122900A	公开（公告）日：	2018-06-05
发明（设计）人：	陈继辉;周景晖;王大选;刘冰;孔美萍;石一心	申请（专利权）人：	无锡华润矽科微电子有限公司
主分类号：	H01L25/16	分类号：	H01L25/16;H01L23/495;H01L23/49;H01L23/367
代理公司：	无锡互维知识产权代理有限公司 32236	代理人：	庞聪雅
地址：	214135 江苏省无锡市***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
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【权利要求书】：

1.一种直流-直流转换电路的封装结构，其特征在于，其包括引线框、直流-直流转换电路以及包覆所述引线框和直流-直流转换电路的封装体，

引线框，其包括第一基岛、第二基岛以及设置于第一基岛和第二基岛周围的引脚；

所述直流-直流转换电路包括直流-直流控制电路芯片，以及至少两个MOS管，其中，所述至少两个MOS管包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和第二MOS管均位于所述第一基岛的正面，且所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极均与所述第一基岛电连接；所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极分别与所述引线框的对应引脚电连接；

直流-直流控制电路芯片，其位于所述第二基岛的正面，所述直流-直流控制电路芯片与第一MOS管、第二MOS管以及引线框的对应引脚电连接。

2.根据权利要求1所述的直流-直流转换电路的封装结构，其特征在于，所述引线框还包括第三基岛，所述直流-直流转换电路还包括第三MOS管和第四MOS管，

所述第三MOS管和第四MOS管均位于所述第三基岛的正面，所述第三MOS管的漏极和第四MOS管的的漏极均与所述第三基岛电连接，所述第三MOS管的源极和所述第四MOS管的源极分别于所述引线框的对应引脚相连，

所述直流-直流控制电路芯片的有关焊盘还与所述第三MOS管和第四MOS管电连接。

3.根据权利要求2所述的直流-直流转换电路的封装结构，其特征在于，

每个MOS管的源极与引线框的多个对应引脚电连接，且该多个对应引脚连成一个整体作为对应MOS管的源极引出端。

4.根据权利要求3所述的直流-直流转换电路的封装结构，其特征在于，所述多个对应引脚通过打线或铝带连成一个整体。

5.根据权利要求2所述的直流-直流转换电路的封装结构，其特征在于，

所述MOS管由DMOS工艺制得，每个MOS管是一个芯片。

6.根据权利要求5所述的直流-直流转换电路的封装结构，其特征在于，

所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极通过导电胶与第一基岛电连接；

所述第三MOS管的漏极和第四MOS管的漏极通过导电胶与第三基岛电连接。