[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明的一些实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一晶体管，被配置为包括第一阈值电压水平。该第一晶体管包括栅极结构。该栅极结构包括：包括第一导电类型的第一部件。第二晶体管被配置为包括与第一阈值电压水平不同的第二阈值电压水平。该第二晶体管包括栅极结构。该栅极结构包括：包括第一导电类型的第二部件。至少一个额外部件设置在第二部件上方。该至少一个额外部件包括与第一导电类型相反的第二导电类型。连接第一晶体管和第二晶体管以通过第一阈值电压水平和第二阈值电压水平之间的期望电压差确定至少一个额外部件的数量。本发明还提供了另一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

场效应晶体管(FET)包括阈值电压。阈值电压是最小栅极至源极电压差，其可在源极端子与漏极端子之间产生导电路径。

在FET中提供栅极(或栅极结构)。栅极通过在沟道两端施加电压来控制导电路径。当该电压施加至栅极时，电流流动通过沟道。当电流停止施加至栅极时，电流停止流过沟道。打开FET的电压是阈值电压。可以结合具有不同阈值电压的FET产生用于不同应用的参考电压。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种半导体器件，包括：第一晶体管，被配置为包括第一阈值电压水平，第一晶体管包括栅极结构，栅极结构包括：包括第一导电类型的第一部件；第二晶体管，被配置为包括不同于第一阈值电压水平的第二阈值电压水平，第二晶体管包括栅极结构，栅极结构包括：包括第一导电类型的第二部件；至少一个额外部件，设置在第二部件上方，其中，至少一个额外部件包括与第一导电类型相反的第二导电类型，并且第一晶体管和第二晶体管被连接，使得通过第一阈值电压水平与第二阈值电压水平之间的期望电压差确定至少一个额外部件的数量。

根据本发明的另一方面，提供一种半导体器件，包括：第一参考电压电路，包括：第一晶体管，被配置为包括第一栅极结构，第一栅极结构包括：包括第一导电类型的第一层；第二晶体管，被配置为包括不同于第一晶体管的阈值电压水平，第二晶体管包括第二栅极结构，第二栅极结构包括：包括第一导电类型的第二层；设置在第二层上方的第三层，第三层包括与第一导电类型相反的第二导电类型，其中，第一晶体管和第二晶体管被连接以为半导体器件中的第一非参考电路提供第一参考电压；第二参考电压电路，包括：第三晶体管，被配置为包括第三栅极结构，第三栅极结构包括：包括第一导电类型的第四层；第四晶体管，被配置为包括不同于第三晶体管的阈值电压水平，第二晶体管包括第四栅极结构，第四栅极结构包括：包括第一导电类型的第五层；设置在第五层上方的第六层，第六层包括与第一导电类型相反的第二导电类型，其中，第三晶体管和第四晶体管被连接以为半导体器件中的第二非参考电路提供第二参考电压，并且第二参考电压与第一参考电压不同。

根据本发明的又一方面，提供一种制造半导体器件的方法，包括：接收衬底；在衬底上形成多个参考电压电路，其中，多个参考电压电路中的每一个提供不同的参考电压；以及在衬底上形成多个非参考电路，其中，多个参考电压电路与多个非参考电路同时形成。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的各个方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1是根据本发明的一些实施例的半导体器件的俯视图。

图2是在图1中示出的半导体器件中的示例性参考电压电路的电路图。

图3A至图3C是根据本发明的一些实施例的半导体器件的截面图。

图4是根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件的方法的操作流程图。

图5至图10是根据一些实施例的在用于制造半导体器件的方法中的操作的一些截面图。