[发明专利]功率放大电路有效
申请号: | 201611093071.6 | 申请日: | 2016-12-01 |
公开(公告)号: | CN106817091B | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
发明(设计)人: | 嶋本健一 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/21 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 放大 电路 | ||
1.一种功率放大电路,其特征在于,包括:
第1放大晶体管,该第1放大晶体管将第1信号输入至基极或栅极,从集电极或漏极输出将所述第1信号放大后的第2信号;以及
第1偏置电路,该第1偏置电路向所述第1放大晶体管的基极或栅极提供第1偏置电流,
所述第1偏置电路包括:
第1晶体管,该第1晶体管向集电极或漏极提供电源电压,向基极或栅极提供规定的电压,从发射极或源极输出所述第1偏置电流;以及
第1控制电路,该第1控制电路控制所述第1晶体管的发射极或源极与接地之间的电连接,
所述第1控制电路包括串联连接的第1电阻元件及第1开关元件,
所述第1开关元件根据表示功率模式的控制信号,在第1功率模式时为导通,在比所述第1功率模式中的输出功率低的输出功率下工作的第2功率模式时为断开。
2.如权利要求1所述的功率放大电路,其特征在于,
所述第1偏置电路还包括:
第2晶体管,该第2晶体管向集电极或漏极提供所述电源电压,从发射极或源极向所述第1放大晶体管的基极或栅极输出第2偏置电流;以及
第2控制电路,该第2控制电路根据所述控制信号,在所述第1功率模式时,将所述第2晶体管控制为导通,在所述第2功率模式时,将所述第2晶体管控制为断开。
3.如权利要求1或2所述的功率放大电路,其特征在于,
所述第1偏置电路还包括:
第3控制电路,该第3控制电路根据从所述第1偏置电路的外部提供的偏置控制信号,对所述第1放大晶体管的基极或栅极与所述第1晶体管的发射极或源极之间的电阻值进行控制。
4.如权利要求3所述的功率放大电路,其特征在于,
所述第3控制电路包括设置于所述第1放大晶体管的基极或栅极与所述第1晶体管的发射极或源极之间的第2电阻元件及第2开关元件,
所述第2电阻元件和所述第2开关元件被串联连接,
所述第2开关元件根据所述偏置控制信号来导通或断开。
5.如权利要求1、2、4的任一项所述的功率放大电路,其特征在于,
所述功率放大电路还包括:
第2放大晶体管,该第2放大晶体管向发射极或源极输入第3信号,从集电极或漏极输出将所述第3信号放大后的所述第1信号;以及
第2偏置电路,该第2偏置电路向所述第2放大晶体管的基极或栅极提供第3偏置电流,
所述第2偏置电路包括:
第3晶体管,该第3晶体管向集电极或漏极提供电源电压,向基极或栅极提供规定的电压,从发射极或源极输出所述第3偏置电流;以及
第4控制电路,该第4控制电路控制所述第3晶体管的发射极或源极与接地之间的电连接,
所述第4控制电路包括串联连接的第3电阻元件和第3开关元件,
所述第3开关元件根据所述控制信号,在所述第1功率模式时为导通,在所述第2功率模式时为断开。
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