[发明专利]一种锗硅源漏极及制备方法

权利要求书

1.一种锗硅源漏极，其特征在于，包括：

半导体单晶硅基体，其具有制备好栅极及掩膜层和通过图案化蚀刻所述半导体单晶硅基体形成的凹陷；

锗硅种子层及主体层，外延生于所述半导体单晶硅基体上表面的所述凹陷中，且所述锗硅种子层及主体层经过混合性气体的晶面处理；所述气体包括SiH₄、SiH₂Cl₂、HCL、H₂、B₂H₆和GeH₄；

晶格变层，外延生于所述锗硅种子层及主体层的上表面，且位于所述凹陷中或所述凹陷的上表面；以及

盖帽层，外延生长在晶格变层及主体层上。

2.根据权利要求1所述的锗硅源漏极，其特征在于，所述晶格变层的材料为锗硅。

3.根据权利要求2所述的锗硅源漏极，其特征在于，所述晶格变层中的锗浓度低于所述锗硅种子层及主体层中的锗浓度。

4.一种锗硅源漏极的制备方法，其特征在于，包括

步骤S1：提供一半导体单晶硅基体，在单晶硅基体上制备好栅极及掩膜层；其中，所述单晶硅基体为含单晶硅半导体材料构成的衬底；

步骤S2：图案化蚀刻所述半导体单晶硅基体形成凹陷；

步骤S3：在半导体单晶硅基体的凹陷内外延生长锗硅种子层及主体层；

步骤S4：采用混合性气体对所述锗硅种子层及主体层进行晶面处理；所述混合性气体包括SiH₄、SiH₂Cl₂、HCL、H₂、B₂H₆和GeH₄；

步骤S5：在所述锗硅种子层及主体层上外延生长晶格变层；

步骤S6：在所述晶格变层及主体层上外延生长盖帽层。

5.根据权利要求4所述的锗硅源漏极的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述混合性气体的H₂流量在1000sccm～60000scc；SiH₂Cl₂气体流量在0.1sccm～500sccm；SiH₂Cl₂与SiH₄&HCL&B₂H₆&GeH₄的气体流量比在1:0.01至1:200之间。

6.根据权利要求1所述的锗硅源漏极的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中的反应温度为500～900℃；反应腔体压力为：1～100Torr。

7.根据权利要求1所述的锗硅源漏极的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，生成所述晶格变层的反应气体包括SiH₄、SiH₂Cl₂、HCL、H₂、GeH₄和B₂H₆。

8.根据权利要求7所述的锗硅源漏极的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述反应气体中H₂流量在1000sccm～60000sccm；GeH₄气体流量在0.1sccm～1200sccm；GeH4与SiH₂Cl₂&SiH₄&HCL&B₂H₆气体流量比在1:0.01至1:200之间。

9.根据权利要求1所述的锗硅源漏极的制备方法，其特征在于，所述晶格变层的材料为锗硅。

10.根据权利要求9所述的锗硅源漏极的制备方法，其特征在于，所述晶格变层中的锗浓度低于所述锗硅种子层及主体层中的锗浓度。