[发明专利]半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，是具有具备金属部的第一部件，且能够用焊料将所述金属部与第二部件接合的半导体装置用部件的制造方法，包括：

准备所述第一部件的工序；以及

在所述金属部的表面涂布处理剂，形成处理被膜的工序，所述处理被膜抑制所述金属部在保存时或运输时的表面的化学变化，且在焊料接合时在所述焊料的固相线温度以下的温度气化。

2.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述处理被膜的气化温度为80～250℃。

3.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述处理剂包括选自羧酸、羧酸的金属盐、羧酸的铵盐、羧酸的胺盐和羧酸酯中的至少一种有机物。

4.根据权利要求3所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述有机物的碳原子数为1～25。

5.根据权利要求3所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述有机物的分子量为30～400g/mol。

6.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述焊料是包括选自Ag、Cu、Sb、Ni、Ge、P、In、Bi和Pb中的至少一种金属与Sn的合金。

7.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述焊料为板状焊料。

8.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述第一部件是选自半导体芯片、层叠基板、散热板、焊料和连接端子中的至少一种部件。

9.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述第一部件是半导体装置的部件之一的具备绝缘板、电路板和金属板的层叠基板，在该制造方法中，在所述电路板和所述金属板中的至少一个的表面形成所述处理被膜。

10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

准备半导体装置用部件的工序，所述半导体装置用部件具有具备金属部的第一部件，在所述金属部的表面形成有处理被膜，所述处理被膜抑制所述金属部在保存时或运输时的表面的化学变化，且在焊料接合时在所述焊料的固相线温度以下的温度气化；

以将所述处理被膜夹在所述金属部与第二部件的中间并使所述金属部与第二部件相向的方式配置所述第一部件和第二部件的工序；以及

在所述焊料熔融之前将所述处理被膜加热，使所述处理被膜气化，之后使所述焊料熔融而将所述第一部件与所述第二部件接合的工序。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括在所述金属部的表面涂布处理剂，形成所述处理被膜的工序。

12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在还原性气氛下进行使所述焊料熔融，将所述第一部件与所述第二部件接合的工序。

13.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一部件是选自半导体芯片、层叠基板、散热板和连接端子中的至少一种部件，

在该制造方法中，进一步在所述处理被膜与所述第二部件之间配置所述焊料，并配置所述第一部件和第二部件。

14.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述金属部为所述焊料。

15.一种半导体装置用部件，其特征在于，具备能够用焊料与其它部件接合的金属部，所述金属部的表面被处理被膜被覆，所述处理被膜抑制所述金属部在保存时或运输时的表面的化学变化，且在焊料接合时在所述焊料的固相线温度以下的温度气化。