[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

说明书

本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管的制造方法包括下列步骤：提供基板、第一导电图案、第二导电图案及第一光阻图案，第一导电图案、第二导电图案及第一光阻图案依序堆叠在基板上；以第一光阻图案为掩模，图案化第二导电图案，以使第二导电图案具有通孔，所述通孔暴露第一导电图案的部分表面，所述第一导电图案的所述部分表面与定义所述通孔的所述第二导电图案的侧壁形成第一凹陷；形成绝缘层，以覆盖第二导电图案与第一凹陷；在绝缘层上形成与第一凹陷重叠的半导体图案；以及形成分别与半导体图案的两侧电连接的源极与漏极。本发明的制造方法能提高薄膜晶体管的开启电流值，且本发明的薄膜晶体管具高开启电流值。

技术领域

本发明涉及一种半导体组件及其制造方法，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

显示面板多采用薄膜晶体管作为像素结构的开关组件。现有薄膜晶体管的制造方法包括下列步骤。在基板上形成栅极。形成栅极绝缘层，以覆盖栅极与基板。在栅极绝缘层上形成半导体层。进行掺杂元素等离子体处理，以在半导体层表面形成薄掺杂半导体层，作为未掺半导体层与源极及漏极之间的欧姆接触层。接着，形成源极与漏极，以分别与半导体层的两侧电连接。之后，移除源极与漏极之间的部分薄掺杂半导体层，以形成通道。于此，便完成了薄膜晶体管。然而，在现有的薄膜晶体管的制造方法中，半导体层与栅极的重叠面积有限，而使薄膜晶体管的开启电流值无法进一步提高。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，能提高薄膜晶体管的开启电流值。

本发明提供一种薄膜晶体管，具有高开启电流值。

本发明的薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤：提供基板、第一导电图案、第二导电图案及第一光阻图案，第一导电图案、第二导电图案及第一光阻图案依序堆叠在基板上；以第一光阻图案为掩模，图案化第二导电图案，以使第二导电图案具有通孔，所述通孔暴露第一导电图案的部分表面，所述第一导电图案的所述部分表面与定义所述通孔的所述第二导电图案的侧壁形成第一凹陷；形成绝缘层，以覆盖第二导电图案与第一凹陷；在绝缘层上形成与第一凹陷重叠的半导体图案；形成分别与半导体图案的两侧电连接的源极与漏极。

本发明的薄膜晶体管配置在基板上。薄膜晶体管包括栅极、绝缘层、半导体图案、源极与漏极。栅极包括配置在基板上的第一导电图案以及配置在第一导电图案上且与第一导电图案电连接的第二导电图案。第二导电图案具有通孔。所述通孔暴露第一导电图案的部分表面。所述第一导电图案的所述部分表面与定义所述通孔的所述第二导电图案的侧壁形成第一凹陷。绝缘层覆盖第二导电图案与所述第一凹陷。源极与漏极分别与半导体图案的两侧电连接。

在本发明的一实施例中，上述的提供第一导电图案、第二导电图案及第一光阻图案的步骤包括：在基板上依序形成第一导电层与第二导电层；在第二导电层上形成第二光阻图案，第二光阻图案具有薄部及环绕薄部的厚部；以第二光阻图案为掩模，图案化第一导电层与第二导电层，以形成第一导电图案与第二导电图案；以及进行灰化工序，以移除第二光阻图案的薄部并保留至少部分的厚部，而形成第一光阻图案。

在本发明的一实施例中，上述的第一导电图案相较于所述第二导电图案具有刻蚀选择性。

在本发明的一实施例中，上述的绝缘层共形地覆盖第二导电图案与第一凹陷，而具有与第一凹陷重叠的第二凹陷。

在本发明的一实施例中，上述的半导体图案共形地覆盖绝缘层而具有与所述第二凹陷重叠的第三凹陷。

在本发明的一实施例中，上述的第二导电图案具有与第一导电图案接触的底面以及相对于底面的顶面。定义所述通孔的所述第二导电图案的所述侧壁连接于顶面与底面之间，半导体图案与所述第一导电层的所述部分表面及定义所述通孔的所述第二导电图案的所述侧壁重叠且延伸至第二导电图案的顶面上方。