[发明专利]一种电极拼接式碳基钙钛矿太阳能电池制备方法有效
申请号: | 201611094567.5 | 申请日: | 2016-12-01 |
公开(公告)号: | CN106654015B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 李成辉;魏爱香;郑海松;李秋 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 510062 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电极 拼接 式碳基钙钛矿 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种电极拼接式碳基钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于,包括:
通过机械切割获得去除边缘导电膜的导电玻璃;
多块所述导电玻璃通过胶黏层在玻璃基板上拼接;
在所述导电玻璃的上表面的预定区域从下到上依次沉积空穴阻挡层、钙钛矿吸光层作为电池片光阳极;
在所述导电玻璃的上表面设置导电碳膜作为电池片光阴极;
所述导电碳膜与所述钙钛矿吸光层连接,所述电池片的光阴极与相邻的前一所述电池片或后一所述电池片的光阳极的导电玻璃连接;
其中,所述通过机械切割获得去除边缘导电膜的导电玻璃为将切割面向导电玻璃内侧倾斜的方式,使得所述导电玻璃的侧面与底面成一锐角,相邻所述导电玻璃的导电膜之间绝缘。
2.如权利要求1所述电极拼接式碳基钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于,所述空穴阻挡层的沉积方法包括:
采用耐高温胶带保护所述导电玻璃的光阳极引出电极区域;
在所述导电玻璃上旋涂TiO2溶胶,并静置5min~10min;
将所述旋涂TiO2溶胶的导电玻璃在95℃~100℃下干燥5min~10min;
对干燥后的所述导电玻璃在490℃~500℃下高温烧结,获得TiO2致密层作为空穴阻挡层。
3.如权利要求2所述电极拼接式碳基钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于,所述TiO2致密层的厚度为100nm~200nm。
4.如权利要求3所述电极拼接式碳基钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于,所述钙钛矿吸光层的沉积方法,包括:
在所述TiO2致密层上用乙醇稀释后的TiO2浆料通过旋涂法制作TiO2介孔层;
取1mmol~1.2mmol PbI2,溶于DMF溶剂中,在80℃~90℃水浴中密封磁力搅拌30min~32min,配成1.0mol/L~1.2mol/L的A液;
将所述A液滴在所述介孔层上,静置15s~20s后进行旋涂,根据所需厚度来控制旋涂次数,每次旋涂后静置5min~10min,并在90℃~100℃下干燥15min~20min后得到均匀平整的PbI2薄膜;
将所述PbI2薄膜放置在7mg/mL~10mg/mL溶剂为异丙醇的CH3NH3I溶液中静置;
静止预定反应时间后取出后,将反应后的所述PbI2薄膜置于90℃~100℃下干燥15min~20min,得到钙钛矿薄膜。
5.如权利要求4所述电极拼接式碳基钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于,所述钙钛矿吸光层的厚度为300nm~500nm。
6.如权利要求1所述电极拼接式碳基钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于,所述导电碳膜的厚度为10μm~25μm。
7.如权利要求1所述电极拼接式碳基钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于,所述导电玻璃为镀掺氟氧化锡导电膜的导电玻璃。
8.如权利要求7所述电极拼接式碳基钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于,所述导电玻璃的厚度为1mm~2.3mm。
9.如权利要求1所述电极拼接式碳基钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于,所述玻璃基板的厚度为1mm~1.2mm。
10.如权利要求1-9任意一项所述电极拼接式碳基钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于,所述胶黏层为双面胶层或环氧树脂层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学,未经广东工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611094567.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择