[发明专利]一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管有效
| 申请号： | 201611094580.0 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106601788B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王颖;朴巍;刘军;孙玲玲 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/772 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 剂量 辐射 加固 mos 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其特征在于：源区、漏区和栅极分布在一个有源区之内；所述栅极呈字母“Z”字形且将有源区分隔成源区和漏区；所述源区和漏区的面积大小相同，非对称的分布在中心栅的两侧，所述源区和漏区之间没有相交区域且被“Z”字形栅极半包围；栅极下是栅氧化层结构，且栅氧化层厚度小于12nm。
2.根据权利要求1所述的一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其特征在于：所述的栅极是呈字母“Z”字形，栅极拐角处均为90度角，即“Z”字形栅由两端平行栅和一段中心栅组成。
3.根据权利要求1所述的一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其特征在于：“Z”字形栅极由多晶硅材料构成，且栅的宽度处处相同。
4.根据权利要求1所述的一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其特征在于：栅极与隔离氧化物没有重叠区域。
5.根据权利要求1所述的一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其特征在于：“Z”字形栅极与隔离氧化物有重叠区域。
6.根据权利要求5所述的一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管版图结构，其特征在于：栅极与隔离氧化物有重叠区域，即仅与有源区重叠OV段距离，并要求OV至少大于50％的栅宽。
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