[发明专利]多层膜中非易失性斯格明子的生成方法有效
| 申请号： | 201611094721.9 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN108154990B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 张颖;何敏;李刚;蔡建旺;谷林;沈保根 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01F10/32 | 分类号： | H01F10/32;H01F41/32 |
| 代理公司： | 11280 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王勇;张磊<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层膜 重金属层 斯格 磁场 铁磁层 易失性 磁畴 施加 界面处 金属膜 堆叠 膜面 不平 诱导 | ||
1.一种多层膜中非易失性斯格明子的生成方法，所述多层膜包括依次堆叠的第一重金属层、铁磁层和第二重金属层，所述第一重金属层和第二重金属层为两种不同的金属膜，所述第一重金属层和第二重金属层在与所述铁磁层的界面处诱导产生DM相互作用，其特征在于，所述生成方法包括如下步骤：
1)：对所述多层膜施加预定的磁场，其中所述磁场的强度不足以使得所述多层膜中的条状磁畴转变为斯格明子，且所述磁场的方向不平行所述多层膜的膜面；
2)：对所述多层膜施加预定的电流，使所述条状磁畴转变为斯格明子。
2.根据权利要求1所述的生成方法，其特征在于，还包括步骤3)：将所述电流和磁场撤销。
3.根据权利要求1所述的生成方法，其特征在于，所述磁场的方向垂直于所述多层膜的膜面。
4.根据权利要求3所述的生成方法，其特征在于，所述磁场的磁感应强度为30mT～70mT。
5.根据权利要求4所述的生成方法，其特征在于，所述磁场的磁感应强度为40mT～50mT。
6.根据权利要求4所述的生成方法，其特征在于，在所述步骤2)中，所述电流的面内电流密度为1×108mA/cm2～2×108mA/cm2。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的生成方法，其特征在于，所述铁磁层的磁矩具有垂直磁各向异性。
8.根据权利要求7所述的生成方法，其特征在于，所述铁磁层为厚度不大于2nm的Co或CoFeB。
9.根据权利要求8所述的生成方法，其特征在于，所述第一重金属和第二重金属为Pt,Ta,W,Pd,Ph,Ir,Pb和Au中的任意两种金属。
10.根据权利要求9所述的生成方法，其特征在于，所述多层膜为Pt/Co/Ta。
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