[发明专利]一种像素排列结构、显示装置及掩膜板有效
申请号: | 201611094941.1 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN108155204B | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 兰兰;吴建鹏;杨忠英;曲毅 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G03F1/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 排列 结构 显示装置 掩膜板 | ||
本发明提供一种像素排列结构、显示装置及掩膜板,该像素排列结构包括多个像素重复单元,每一像素重复单元分为第一行像素单元组和第二行像素单元组,每一行像素单元组有三个像素单元,像素单元包括三个单色子像素;同一像素单元分为第一行单色子像素和第二行单色子像素,第一行单色子像素包括两个单色子像素,第二行单色子像素包括一个单色子像素,同一行的三个像素单元的第二行单色子像素的颜色不同;第一行像素单元组和第二行像素单元组错开预定宽度排列,第一行像素单元组的每一像素单元的第二行单色子像素和第二行像素单元组中与其相邻的两个第一行单色子像素的颜色不相同。本发明可有效提升分辨率,适用于高PPI与低PPI显示面板。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素排列结构、显示装置及掩膜板。
背景技术
随着显示领域技术的日益发展,以及人们对显示面板画质的要求越来越高,有机电致发光(Organic Light-emitting Diode,OLED)显示技术逐渐进入人们的视野,并因其色彩饱和度高、响应时间短、可基于柔性基板等优势被看作可取代目前LCD主流显示面板的革命性技术。不同于LCD(Liquid Crystal Display的简称,液晶显示器)面板的像素排列,OLED显示面板的像素排列多种多样,同时,OLED像素阵列的制作也要借用精细金属掩膜板(FMM)进行掩膜蒸镀的方式。
OLED像素排列的方式总体可分为两大类,即Real RGB与Pentile两种。其中,RealRGB为传统的像素排列方式,每个像素单元都由红、绿、蓝三基色构成,如图1所示;随着显示面板分辨率的逐渐增加,像素单元面积逐渐减小,制作开孔密度更高的FMM所需的成本也更高,工艺也更难实现,故而产生了Pentile形式的像素排列方式,如图2所示,每个像素单元由两种颜色的子像素构成,在显示时,缺少的另外一种子像素颜色则从相邻的像素单元借用。
Pentile排列的显示面板优点显著,不仅可有效降低掩膜板的成本,且与RGB排列方式相比,在面板面积相同时,可至少增加0.5倍的像素数量,起到了提升分辨率、提高PPI的作用;同时,Pentile排列方式的缺点也不可避免,若分辨率较低的显示面板采用Pentile排列的像素阵列,在显示白色斜线时,如图1、图2所示,在像素单元面积相同为a2的条件下,Pentile阵列中的白色像素点宽度比real RGB阵列中的白色像素点宽度多1个子像素的宽度,致使所显示内容的边缘会有锯齿状或颗粒状的即视感;因此,Pentile排列方式并不能通用于高PPI及低PPI的显示面板,存在一定的局限性。
发明内容
本发明的目的在于提供像素排列结构、显示装置及掩膜板,具有Pentile与RealRGB两种像素排列方式的特点,可在单位面积的显示面板中有效提升分辨率,适用于高PPI与低PPI显示面板。
本发明所提供的技术方案如下:
一种像素排列结构,其特征在于,包括阵列排列的多个像素重复单元,每一所述像素重复单元分为两行,分别为第一行像素单元组和第二行像素单元组,每一行像素单元组中有三个像素单元,每一像素单元包括颜色不同的三个单色子像素,三个单色子像素发出的单色光能够混合成白光;
同一像素单元中的三个单色子像素分为两行,分别为第一行单色子像素和第二行单色子像素,其中第一行单色子像素包括两个单色子像素,第二行单色子像素包括一个单色子像素,且同一行的三个像素单元的第二行单色子像素的颜色不同;
其中,第一行像素单元组和第二行像素单元组错开预定宽度排列,第一行像素单元组中的每一像素单元的第二行单色子像素和第二行像素单元组中与其相邻的两个第一行单色子像素的颜色各不相同。
进一步的,所述第一行单色子像素中两个单色子像素和所述第二行单色子像素中的一个单色子像素的形状均为矩形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的