[发明专利]InP阻变存储材料的制备方法和应用有效
| 申请号： | 201611095501.8 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106601906B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 赵鸿滨;屠海令;魏峰;杨志民;张国成 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 朱琨 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | inp 存储 材料 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.InP阻变存储材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将单晶InP片作为靶材装入脉冲激光设备腔体内；
(2)将表面沉积有电极的基片装入脉冲激光设备腔体内；
(3)将脉冲激光设备腔体内抽真空，真空度为5×10-8Pa；
(4)将基片加热至350～450℃；
(5)利用脉冲激光沉积的方法在基片上沉积InP薄膜；所述脉冲激光沉积参数为：靶材与基片的间距为6～8cm，激光的工作频率1～5Hz，能力密度为1～3J/cm2；所得InP薄膜的厚度为10～65nm；
(6)将沉积了InP薄膜的基片真空条件下进行快速热退火处理，得到InP阻变存储材料。
2.根据权利要求1所述的InP阻变存储材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的基片为绝缘无机材料。
3.根据权利要求1所述的InP阻变存储材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(6)中快速热退火工艺为：退火温度600～800℃，退火时间5～120秒。
4.一种权利要求1所述的方法制备得到的InP阻变存储材料在阻变存储器中的应用，其特征在于：InP阻变存储材料用于制备InP基阻变存储器件，制备步骤为：将InP阻变存储材料表面覆盖硬掩膜版，硬掩膜版厚度为100nm，然后放入磁控溅射设备中，沉积金属电极，去除掩膜版，获得InP基阻变存储器件。
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