[发明专利]一种AMOLED显示器有效
申请号: | 201611095923.5 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN108155205B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 谢雄伟;任思雨;苏君海;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 陈卫;谭映华 |
地址: | 516029 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 amoled 显示器 | ||
本发明为一种AMOLED显示器,包括玻璃基板、玻璃盖板、LTPS层以及OLED蒸镀层,所述OLED蒸镀层包括阴极层和发光层,所述LTPS层包括像素定义层、间隔层、阳极层、平坦化层、绝缘层、源漏走线、栅极层以及半导体层,所述阳极层被划分为多个子像素区,所述单个子像素区的平坦区为中心对称结构;所述栅极层和源漏极层存在交叉点M;所述阳极层平面区的中心、蒸镀层的中心以及栅极层与源漏极层的交叉点M相互重叠;所述阳极层边缘设有倒角切割,且倒角切割线的中心点位于下层栅极层或源漏极层的中间。
技术领域
本发明涉及OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)技术领域,尤其是一种AMOLED(Active Matrix OLED,有源矩阵OLED)显示器的发光器件及制作方法。
技术背景
OLED的基本结构是由一薄而透明具半导体特性的铟锡氧化物(ITO),与电力之正极相连,再加上另一个金属阴极,包成如三明治的结构。整个结构层中包括了:空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时,正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合,产生光亮,依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三原色,构成基本色彩。OLED的特性是自己发光,不需要背光。
AMOLED是OLED技术的一种。AMOLED由于自己发光,并且做在背板电路之上,所以发光层的设计、工艺、制程等因素对最终的显示效果都会有非常大的影响。但是,现有的AMOLED的发光层设计存在诸多缺陷,导致最终的显示效果并非良好,因此,急需设计一种更好的方案,来从根源上解决背板电路、工艺、制程导致的发光层显示不均匀的现象。
发明内容
为了解决上述问题,本发明的目的是提供一种AMOLED显示器,通过改变阳极层及蒸镀层的图形设计,在很大程度上改善由背板电路、工艺、制程导致的发光层显示不均匀的现象。
本发明的技术方案如下:一种AMOLED显示器,包括玻璃基板、玻璃盖板、LTPS层以及OLED蒸镀层,所述OLED蒸镀层包括阴极层和发光层,所述LTPS层包括像素定义层、间隔层、阳极层、平坦化层、绝缘层、源漏极层、栅极层以及半导体层,所述阳极层被划分为多个子像素区,单个所述子像素区为中心对称结构;所述栅极层和源漏极层存在交叉点M;所述阳极层平面区的中心、蒸镀层的中心以及栅极层与源漏极层的交叉点M相互重叠;所述阳极层边缘设有倒角切割,且倒角切割线的中心点位于下层栅极层或源漏极层的中间。
进一步的,所述倒角切割线分别与栅极层、源漏极层垂直。
进一步的,所述子像素区包括平整的平坦区和边缘的通孔引线。
进一步的,所述子像素区中的平坦区形状为中心对称结构图形。
进一步的,所述平坦区的形状为圆形、矩形、平行四边形、椭圆形或正多边形。
进一步的,所述绝缘层包括:绝缘层一、绝缘层二、绝缘层三、绝缘层四。
进一步的,所述玻璃基板、玻璃盖板、LTPS层以及OLED蒸镀层各层次的排列顺序依次为:玻璃盖板、阴极层、发光层、间隔层、像素定义层、阳极层、平坦化层、绝缘层一、源漏极层、绝缘层二、栅极层、绝缘层三、半导体层、绝缘层四、玻璃基板。
进一步的,所述阳极层、源漏极层之间的平坦化层和绝缘层一上设有贯穿通孔,阳极层和源漏极层通过通孔连接。
进一步的,所述绝缘层材料为氮化硅或者氧化硅。
采用以上技术方案的有益效果是:本发明通过在阳极层上设置倒切角,并把子像素区的平坦区设置为中心对称结构,以此让下层栅极层或者源漏极层造成的子像素区的平坦区不平整的形状对称,从而相互抵消对显示的影响,同时,本发明的阳极层的图形设计方案,能在很大的程度上抵消来自背板电路、工艺、制程上对阳极层和蒸镀层的影响,从而使得最终的显示效果更佳。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信利(惠州)智能显示有限公司,未经信利(惠州)智能显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611095923.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的