[发明专利]图案处理方法在审
申请号: | 201611096581.9 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN106855680A | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | J·K·朴;李明琦;A·M·科沃克;P·D·休斯塔德 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料有限责任公司;陶氏环球技术有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F7/09;G03F7/004 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 陈哲锋,胡嘉倩 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 处理 方法 | ||
1.一种图案处理方法,包含:
(a)提供半导体衬底,所述半导体衬底在其表面上包含图案化特征;
(b)将图案处理组合物涂覆到所述图案化特征上,其中所述图案处理组合物包含聚合物,所述聚合物包含用于与所述图案化特征的表面形成键的表面附着基团,及溶剂,并且其中所述图案处理组合物不含交联剂;
(c)用第一冲洗剂自所述衬底去除残余图案处理组合物,留下在所述图案化特征的所述表面上方并且结合到所述图案化特征的所述表面的所述聚合物的涂层;及
(d)用与所述第一冲洗剂不同的第二冲洗剂冲洗所述经聚合物涂布的图案化特征,其中所述聚合物在所述第一冲洗剂中的溶解性比在所述第二冲洗剂中大。
2.根据权利要求1所述的图案处理方法,其中所述聚合物为嵌段共聚物。
3.根据权利要求1或2所述的图案处理方法,其中所述图案化特征为光致抗蚀剂图案。
4.根据权利要求3所述的图案处理方法,其中所述光致抗蚀剂图案通过负型显影方法形成。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的图案处理方法,其中所述第一冲洗剂包含有机溶剂。
6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的图案处理方法,其中所述第一冲洗剂为水或水溶液。
7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的图案处理方法,其中所述第二冲洗剂包含有机溶剂。
8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的图案处理方法,其中第一聚合物离子结合或氢结合到所述图案化特征。
9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的图案处理方法,其中相对于在用所述第二冲洗剂冲洗之前所述经聚合物涂布的图案化特征的基脚,在用所述第二冲洗剂冲洗之后所述经聚合物涂布的图案化特征的基脚减少。
10.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的图案处理方法,其中所述图案处理组合物聚合物不可溶于所述第二冲洗剂中。
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